[實用新型]制備具有雙周期納米結構細胞襯底的激光干涉光刻系統有效
| 申請號: | 201721895933.7 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN207833218U | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發明(設計)人: | 劉鶴峰;王作斌;劉夢楠;翁占坤;宋正勛 | 申請(專利權)人: | 長理納米生物技術(長春)有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G02B27/10 |
| 代理公司: | 長春菁華專利商標代理事務所(普通合伙) 22210 | 代理人: | 荊喆 |
| 地址: | 130000 吉林省*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光系統 激光干涉光刻系統 入射光束 本實用新型 反射光束 納米結構 調制器 高反鏡 雙周期 襯底 射入 制備 激光 光束整形系統 調制器調整 納米孔陣列 納米柱陣列 細胞 調制光束 分光系統 干涉圖案 光束陣列 光柵陣列 加工效率 曝光處理 制造成本 激光器 多光束 光刻膠 樣品臺 光強 偏振 石英 反射 相交 | ||
本實用新型公開了一種制備具有雙周期納米結構細胞襯底的激光干涉光刻系統,包括:激光器,用于發出激光;分光系統,包括刻有周期性納米柱陣列元件、周期性納米孔陣列元件或光柵陣列元件的光刻膠或石英,用于將射入的激光均分成光束陣列;其中,多光束陣列分為入射光束和調制光束;光束整形系統,包括高反鏡和調制器;高反鏡將入射光束和反射光束反射至曝光系統;其中,入射光束和反射光束進入曝光系統前還經過調制器,調制器調整光束光強和偏振角度;曝光系統,對射入的光束進行曝光處理;樣品臺,其布設在所述曝光系統下方,用于提供光束相交并形成干涉圖案的平臺。本實用新型的激光干涉光刻系統具有系統簡單、制造成本低、加工效率高等優點。
技術領域
本實用新型涉及光刻系統,具體涉及一種制備具有雙周期納米結構細胞襯底的激光干涉光刻系統。
背景技術
細胞與材料相互作用是生物材料領域的重大基本科學問題。20世紀70年代,用于生物分子和細胞的圖案化技術已開始出現。人們發現基底的形貌和物理性質會對細胞的功能產生很大的影響,例如周期型結構圖案可以調節細胞對基底的粘附性。而且大部分高等動物細胞(除血球細胞等少數幾種細胞)都是貼壁生長的,這為圖案化技術在生物學領域的應用奠定了基礎。隨著原子力顯微鏡的發展,人們對細胞操縱的技術越來越成熟,圖案化能將細胞精確定位在表面,進行更精準的測量。而且這也在很大程度上促進細胞傳感器和分子傳感器的發展。
目前,制備功能化細胞培養基底方法主要有表面修飾方法、電化學法、自組裝法、激光干涉光刻法等。表面修飾方法雖然應用比較廣泛,但設備比較昂貴。電化學法和自組裝法雖然價格相對有優勢,但工藝復雜,不適合工業化生產。激光干涉光刻法在MEMS的制造上已經有了極為成熟的商業化工藝,而利用多光束干涉原理的直接激光干涉光刻方法在制備微納結構上工藝簡單,價格低廉,靈活性高,而且最重要的是制備單個基底的耗時短。利用激光干涉光刻方法制備可定位操控與電位測量功能化細胞培養基底適合產業化。
發明內容
為了解決現有技術中存在的問題,本實用新型提供了一種制備具有雙周期納米結構細胞襯底的激光干涉光刻系統,光束經分光系統、光束整形系統、曝光系統,在樣品臺上成形為雙周期納米結構襯底,適于產業化生產。
本實用新型解決技術問題所采用的技術方案如下:
一種制備具有雙周期納米結構細胞襯底的激光干涉光刻系統,包括:
激光器,用于發出激光;
分光系統,包括刻有周期性納米柱陣列元件、周期性納米孔陣列元件或光柵陣列元件的光刻膠或石英,用于將射入的激光均勻分成多光束陣列;
其中,所述多光束陣列分為入射光束和調制光束;
光束整形系統,包括高反鏡和調制器;所述高反鏡將入射光束和反射光束反射至曝光系統;其中,所述入射光束和反射光束進入曝光系統前還經過調制器,所述調制器調整入射光束和反射光束的光強和偏振角度;
曝光系統,對射入的光束進行曝光處理;
樣品臺,其布設在所述曝光系統下方,用于提供光束相交并形成干涉圖案的平臺。
優選的是,所述調制器包括四分之一波片和偏振片。
優選的是,所述激光器為He-Ne激光器。
優選的是,所述偏振角度調整范圍為0-360°。
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