[實用新型]實現過大電流的MOS管結構有效
| 申請號： | 201721890799.1 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN207743217U | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發明（設計）人： | 鄭曉紅;張斌;毛剛挺;許陽斌 | 申請（專利權）人： | 杭州士騰科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/49 |
| 代理公司： | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人： | 馮子玲 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝本體 電路板 導熱層 固定孔 散熱外殼 第二表面 大電流 固定件 本實用新型 第一表面 光滑表面 焊接連接 基極引腳 內部延伸 散熱 引腳 穿過 傳遞 外部 | ||
1.一種實現過大電流的MOS管結構，其特征在于，包括：
電路板，電路板上具有MOS管驅動電路和多個第一固定孔；
MOS管，包括封裝本體和從封裝本體內部延伸到封裝本體外部的三個引腳，MOS管的基極引腳與MOS管驅動電路焊接連接，所述封裝本體的第一表面與電路板相接觸，第二表面為光滑表面，所述封裝本體上具有第二固定孔；
固定件，穿過第一固定孔和第二固定孔將MOS管固定在電路板上；
導熱層，設置于所述第二表面；
散熱外殼，連接于所述導熱層，MOS管的熱量經導熱層傳遞到散熱外殼上進行散熱。
2.根據權利要求1所述的實現過大電流的MOS管結構，其特征在于，所述固定件為螺絲。
3.根據權利要求1所述的實現過大電流的MOS管結構，其特征在于，所述導熱層包括依次連接在光滑表面上的導熱硅脂層和亞胺膜層。
4.根據權利要求1所述的實現過大電流的MOS管結構，其特征在于，MOS的三個引腳均設置在封裝本體的同一側且所述三個引腳均為貼片式引腳。
5.根據權利要求1或4所述的實現過大電流的MOS管結構，其特征在于，每一引腳均包括第一引腳段、第二引腳段以及第三引腳段，所述第一引腳段與封裝本體的內部連接，所述第二引腳段連接第一引腳段和第三引腳段，所述第三引腳段與電路板焊接連接，引腳的橫截面呈“Z”形。
6.根據權利要求1所述的實現過大電流的MOS管結構，其特征在于，所述電路板上的銅箔厚度為2盎司。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于杭州士騰科技有限公司，未經杭州士騰科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721890799.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種能測得冷卻風量的散熱片
- 下一篇：一體式大功率水冷散熱器
