[實用新型]半導體元件和半導體裝置

有效

• 申請號: 201721890667.9
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN207818562U
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 鳥居克行
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/495
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

本申請實施例提供一種半導體元件和半導體裝置，該半導體元件的表面呈四邊形，該半導體元件具有用于接收控制信號的柵極焊盤，其中，柵極焊盤的數量為至少兩個，其中，至少兩個所述柵極焊盤被分別設置在所述四邊形的一邊的兩端部。根據本申請，在制造半導體裝置時，不需要準備柵極焊盤位置不同的半導體元件，從而降低了制造半導體裝置的復雜度。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體元件和半導體裝置。

背景技術

在半導體技術中，半導體裝置可以具有多個半導體元件，半導體元件的表面通常設置有電極焊盤(pad)，電極焊盤可以與半導體元件的電極連接，并且，電極焊盤上可以焊接引線，從而將該半導體元件的電極與其它電子元件進行電連接。

專利文獻1(日本特開2008-252115)公開了一種半導體裝置。圖1是專利文獻1 公開的半導體裝置的一個示意圖，如圖1所示，半導體裝置50具有控制元件40和位于控制元件40左右兩側的半導體元件2和半導體元件4。半導體元件2和半導體元件4的表面都具有發射極焊盤E，柵極焊盤G，以及二極管焊盤24，并且，柵極焊盤 G通過引線連接到控制元件40。

如圖1所示，在半導體元件2中，柵極焊盤G形成在半導體元件2的靠近控制元件40的一側，并且位于半導體元件2的中部靠上側的位置；在半導體元件4中，柵極焊盤G形成在半導體元件4的靠近控制元件40的一側，并且位于半導體元件4 的中部靠上側的位置。

應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本實用新型的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本實用新型的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。

實用新型內容

本申請的發明人發現，在專利文獻1中，半導體元件2和半導體元件4分別位于控制元件40的左右兩側的情況下，為了便于半導體元件2的柵極焊盤G、半導體元件4的柵極焊盤G與控制元件40連接，半導體元件2的柵極焊盤G需要設置在右側，半導體元件4的柵極焊盤G需要設置在左側，因此，在制造半導體裝置50時，無論半導體元件的電學特性是否相同，都需要準備柵極焊盤位置不同的兩種半導體元件，從而增加了制造半導體裝置的復雜度。

本申請提供一種半導體元件和半導體裝置，該半導體元件的表面呈四邊形，至少兩個柵極焊盤被分別設置在四邊形的一邊的兩端部，由此，在半導體元件與控制元件的位置關系發生改變時，都能夠使柵極焊盤方便地連接到控制元件，所以，在制造半導體裝置時，不需要準備柵極焊盤位置不同的半導體元件，從而降低了制造半導體裝置的復雜度。

根據本申請實施例的第一方面，提供一種半導體元件，其具有用于接收控制信號的柵極焊盤，所述半導體元件的表面呈四邊形，所述柵極焊盤的數量為至少兩個，其中，至少兩個所述柵極焊盤被分別設置在所述四邊形的一邊的兩端部。

根據本申請實施例的第二方面，其中，所述半導體元件還具有二極管焊盤，所述二極管焊盤被設置在所述四邊形的與所述一邊相對的另一邊。

根據本申請實施例的第三方面，其中，所述二極管焊盤比所述柵極焊盤承受的電壓高。

根據本申請實施例的第四方面，其中，所述半導體元件還具有發射極焊盤，所述發射極焊盤位于所述二極管焊盤和所述柵極焊盤之間，并且，在平行于所述一邊的方向上，所述發射極焊盤位于所述兩個所述柵極焊盤之間。

根據本申請實施例的第五方面，提供一種半導體裝置，所述半導體裝置具有如上述第一方面至第四方面中任一方面所述的半導體元件。

根據本申請實施例的第六方面，其中，所述半導體裝置具有沿垂直于所述一邊的方向排列的2個以上所述半導體元件，至少一個所述半導體元件的從所述二極管焊盤指向所述柵極焊盤的方向不同于其它所述半導體元件的從所述二極管焊盤指向所述柵極焊盤的方向。