[實用新型]一種刻蝕裝置

有效

• 申請號: 201721881385.2
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN207651458U
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 吳堅;蔣方丹;邢國強
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型涉及一種刻蝕裝置，屬于太陽能電池技術領域，該刻蝕裝置包括旋轉組件，旋轉組件包括旋轉平臺，旋轉平臺能夠繞自身的中心軸線方向水平旋轉；滴液組件，滴液組件包括設置于旋轉平臺的上方的第一噴射部和第二噴射部；及收集槽，收集槽沿周向環繞旋轉平臺設置。本實用新型通過將待刻蝕硅片放置于旋轉組件上使硅片隨旋轉平臺旋轉，并在不同的時刻通過第一噴射部和第二噴射部向旋轉平臺上的硅片噴射化學制劑，從而去除硅片的背面的摻雜層，解決了現有技術中去除硅片的背面的摻雜層時，將硅片直接接觸硅片的背面而導致破壞硅片背面絨面的技術問題，從而使硅片背面的反光率大幅度提升，進而提高了背面的光電轉換效率。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種刻蝕裝置。

背景技術

目前在光伏業界，制造雙面電池時，在正面擴散形成pn結的同時，也會在硅片背面附帶形成一些摻雜層。比如在制作n型雙面電池時，在用BBr3對n型硅片進行正面p型摻雜時，也會在背面附帶形成一些p型摻雜層(在0.5微米以內)。而這層p型摻雜層必須去除，以防止在后續的背面n型摻雜時不會與殘留的p型層混摻，造成效率的下降。

現有技術中，去除背面摻雜層是使用濕法鏈式刻蝕設備，用氫氟酸、硝酸、硫酸的混酸溶液與硅片背面接觸并產生反應，去除深度約2～3微米。這樣雖然可以去除背面附帶形成的摻雜層，缺點是同時也破壞了背面的絨面，造成背面對光的反射率大幅度上升，降低了背面的光電轉換效率。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提出一種刻蝕裝置，能夠解決現有技術中使用混酸溶液去除背面附帶形成的摻雜層時，容易破壞背面的絨面的技術問題。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種刻蝕裝置，包括：

旋轉組件，所述旋轉組件包括用于放置硅片的旋轉平臺，所述旋轉平臺能夠繞自身的中心軸線方向水平旋轉；

滴液組件，所述滴液組件包括設置于所述旋轉平臺的上方的第一噴射部和第二噴射部，所述第一噴射部和所述第二噴射能夠朝向所述旋轉平臺噴射液體；及

收集槽，所述收集槽沿周向環繞所述旋轉平臺設置，以收集所述旋轉平臺甩出的液體。

進一步的，所述旋轉組件還包括基座及固設于所述基座的驅動部，所述驅動部與所述旋轉平臺連接，以驅動所述旋轉平臺相對于所述基座水平旋轉；

所述收集槽連接于所述基座。

進一步的，所述滴液組件還包括支撐架及轉動連接于所述支撐架的安裝架，所述第一噴射部和所述第二噴射部均設置于所述安裝架上。

進一步的，所述安裝架為方形框架，包括第一連接梁和連接于所述第一連接梁的第二連接梁，所述第一噴射部設置于所述第一連接梁上，所述第二噴射部設置于所述第二連接梁上；

所述鎖緊部能夠穿過所述支撐架與所述第一連接梁和所述第二連接梁可拆卸連接。

進一步的，所述安裝架為條形結構，所述第一噴射部和第二噴射部間隔設置。

進一步的，所述第一噴射部和所述第二噴射部均包括若干個噴嘴。

進一步的，所述第一噴射部的若干個所述噴嘴串聯，所述第二噴射部的若干個所述噴嘴串聯。

進一步的，所述收集槽包括槽本體及連接于所述槽本體的內擋板和外擋板，所述內擋板位于所述旋轉平臺的下方，所述外擋板位于所述旋轉平臺的外周且高于所述旋轉平臺設置。

進一步的，所述外擋板包括連接于所述槽本體的豎板和連接于所述豎板的斜板，所述斜板沿靠近所述旋轉組件的方向傾斜并與所述豎板之間設置有夾角。

本實用新型的有益效果：