[實用新型]一種刻蝕裝置有效
| 申請號: | 201721881385.2 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN207651458U | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發明(設計)人: | 吳堅;蔣方丹;邢國強 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215129 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 旋轉平臺 噴射部 刻蝕裝置 旋轉組件 本實用新型 摻雜層 收集槽 滴液 去除 化學制劑 太陽能電池技術 光電轉換效率 方向水平 硅片背面 刻蝕硅片 中心軸線 周向環繞 組件包括 反光率 噴射 背面 | ||
1.一種刻蝕裝置,其特征在于,包括:
旋轉組件(1),所述旋轉組件(1)包括用于放置硅片的旋轉平臺(12),所述旋轉平臺(12)能夠繞自身的中心軸線方向水平旋轉;
滴液組件(3),所述滴液組件(3)包括設置于所述旋轉平臺(12)的上方的第一噴射部(4)和第二噴射部(5),所述第一噴射部(4)和所述第二噴射部(5)能夠朝向所述旋轉平臺(12)噴射液體;及
收集槽(2),所述收集槽(2)沿周向環繞所述旋轉平臺(12)設置,以收集所述旋轉平臺(12)甩出的液體。
2.根據權利要求1所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述旋轉組件(1)還包括基座(11)及固設于所述基座(11)的驅動部,所述驅動部與所述旋轉平臺(12)連接,以驅動所述旋轉平臺(12)相對于所述基座(11)水平旋轉;
所述收集槽(2)連接于所述基座(11)。
3.根據權利要求1所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述滴液組件(3)還包括支撐架(31)及轉動連接于所述支撐架(31)的安裝架(32),所述第一噴射部(4)和所述第二噴射部(5)均設置于所述安裝架(32)上。
4.根據權利要求3所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述刻蝕裝置還包括鎖緊部(6),所述鎖緊部(6)可拆卸的連接于所述安裝架(32)和所述支撐架(31)。
5.根據權利要求4所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述安裝架(32)為方形框架,包括第一連接梁(321)和連接于所述第一連接梁(321)的第二連接梁(322),所述第一噴射部(4)設置于所述第一連接梁(321)上,所述第二噴射部(5)設置于所述第二連接梁(322)上;
所述鎖緊部(6)能夠穿過所述支撐架(31)與所述第一連接梁(321)和所述第二連接梁(322)可拆卸連接。
6.根據權利要求3所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述安裝架(32)為條形結構,所述第一噴射部(4)和第二噴射部(5)間隔設置。
7.根據權利要求5或6所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述第一噴射部(4)和所述第二噴射部(5)均包括若干個噴嘴。
8.根據權利要求7所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述第一噴射部(4)的若干個所述噴嘴串聯,所述第二噴射部(5)的若干個所述噴嘴串聯。
9.根據權利要求1所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述收集槽(2)包括槽本體(21)及連接于所述槽本體(21)的內擋板(22)和外擋板(23),所述內擋板(22)位于所述旋轉平臺(12)的下方,所述外擋板(23)位于所述旋轉平臺(12)的外周且高于所述旋轉平臺(12)設置。
10.根據權利要求9所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述外擋板(23)包括連接于所述槽本體(21)的豎板(231)和連接于所述豎板(231)的斜板(232),所述斜板(232)沿靠近所述旋轉組件(1)的方向傾斜并與所述豎板(231)之間設置有夾角。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





