[實用新型]一種圓片級背金芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 201721876680.9
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN207834271U
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 陳海杰;陳棟;胡正勛;孫超;張黎;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/492
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

本實用新型公開了一種圓片級背金芯片的封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。其硅基本體（10）的正面設有若干個芯片電極（11）、芯片絕緣層（14）和正面保護層（18），該正面保護層（18）覆蓋芯片絕緣層（14）并開設正面保護層開口（181）再次露出芯片電極（11），芯片電極（11）的上表面設置金屬凸點（20）；該硅基本體（10）的背面設有背金層，該背金層通過背金粘結層（43）與硅基本體（10）的背面粘合連接。塑封層（60）包封背金層和硅基本體（10）的裸露面，并開設塑封層開口（601）露出背金層背面。本實用新型的封裝結構簡單，滿足小芯片背金需求，符合嵌入式封裝未來的發展趨勢。

技術領域

本實用新型涉及一種圓片級背金芯片的封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

近年來，嵌入式封裝Embedded Package越來越受到行業的重視。嵌入式封裝往往較其他封裝結構具備更好的熱量管理和可靠性優勢。在這種封裝體中，芯片的背面通常進行研磨并且金屬化以實現降低功率損耗或者提升功率芯片的散熱性能，并被嵌入在IC基底中實現最終封裝。

在嵌入式封裝結構中，背面金屬層作為器件的一極，通常需要耐受激光燒蝕的工藝，這對背金的厚度提出了更高的要求。

現階段，芯片背金工藝大多采用貴金屬結構，包括金、銀等貴金屬價格較高，市場波動大，生產制造的成本較高。背金在蒸鍍的過程中，因為工藝特性，反應腔內會有較多的金屬殘留，這更加劇了成本的提升。

此外，在半導體各個應用領域，高度集成的小型化和輕薄化的封裝需求不斷提出，嵌入式封裝亦是如此。小型的封裝體在焊接的過程中，其自身的重量較輕，極易在焊接過程中因為爬錫現象導致短路失效，或者在嵌入式高密度封裝體中，因位移與其他芯片接觸而導致整個封裝體報廢。

發明內容

本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種圓片級背金芯片的封裝結構。

本實用新型一種圓片級背金芯片的封裝結構，其硅基本體的正面設有若干個芯片電極和功能感應區以及芯片絕緣層，所述芯片絕緣層覆蓋硅基本體并露出芯片電極，同時所述芯片絕緣層覆蓋硅基本體的劃片道的殘余部分。所述芯片絕緣層覆蓋硅基本體的劃片道的殘余部分并向外側延伸，形成芯片絕緣層延伸部。

還包括正面保護層和塑封層，所述正面保護層覆蓋芯片絕緣層并開設正面保護層開口再次露出芯片電極，在所述芯片電極的上表面設置金屬凸點，所述金屬凸點露出正面保護層，

在所述硅基本體的背面依次設置背金粘結層和銅層，形成背金層，所述背金粘結層的厚度大不大于2微米，所述背金層的厚度大于5微米，所述背金層通過背金粘結層與硅基本體的背面粘合連接，

所述塑封層包封背金層和硅基本體的裸露面至芯片絕緣層延伸部，并開設塑封層開口，所述塑封層開口局部或全部露出背金層背面，所述背金層背面的裸露面繼續與埋在PCB板/基板中的其他IC做互聯。

可選地，所述金屬凸點的材質為銅、錫、錫銀合金或Ni/Au、Ni/Pd/Au復合結構。

可選地，所述背面保護層Ⅰ和背面保護層Ⅱ為具有光刻特征的包含填料或者不含填料的高分子材料。

可選地，所述金屬凸點高度在5微米至50微米。

有益效果

1）本實用新型的封裝結構簡單，在芯片側壁形成樹脂正面保護層，滿足小芯片背金封裝的需求，符合嵌入式封裝未來的發展趨勢；

2）本實用新型采用普通金屬銅作為背金層，在滿足散熱和電極導通的前提下，實現厚度較大的背金層，能提供更低的功率損耗，可以顯著增強導電和散熱能力，并節約材料成本。

附圖說明：

圖1和圖2為本實用新型一種圓片級背金芯片的封裝結構實施例的示意圖；