[實用新型]一種圓片級背金芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 201721876680.9
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN207834271U
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 陳海杰;陳棟;胡正勛;孫超;張黎;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/492
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

1.一種圓片級背金芯片的封裝結構，其硅基本體（10）的正面設有若干個芯片電極（11）和功能感應區以及芯片絕緣層（14），所述芯片絕緣層（14）覆蓋硅基本體（10）并露出芯片電極（11），其特征在于，

所述芯片絕緣層（14）覆蓋硅基本體（10）的劃片道（12）的殘余部分并向外側延伸，形成芯片絕緣層延伸部（141），

還包括正面保護層（18）和塑封層（60），所述正面保護層（18）覆蓋芯片絕緣層（14）并開設正面保護層開口（181）再次露出芯片電極（11），在所述芯片電極（11)的上表面設置金屬凸點（20），所述金屬凸點（20）露出正面保護層（18），

在所述硅基本體（10）的背面依次設置背金粘結層（43）和銅層（40），形成背金層，所述背金粘結層（43）的厚度大不大于2微米，所述背金層的厚度大于5微米，所述背金層通過背金粘結層（43）與硅基本體（10）的背面粘合連接，

所述塑封層（60）包封背金層和硅基本體（10）的裸露面至芯片絕緣層延伸部（141），并開設塑封層開口（601），所述塑封層開口（601）局部或全部露出背金層背面，所述背金層背面的裸露面繼續與埋在PCB板/基板中的其他IC做互聯。

2.根據權利要求1所述的圓片級背金芯片的封裝結構，其特征在于，所述金屬凸點（20）的材質為銅、錫、錫銀合金或Ni/Au、Ni/Pd/Au復合結構。

3.根據權利要求1所述的圓片級背金芯片的封裝結構，其特征在于，所述金屬凸點（20）高度在5微米至50微米。