[實用新型]一種高可靠性陣列鎖定式引線框架有效
| 申請號: | 201721863934.3 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN207676902U | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 李習周;慕蔚;張易勒;李琦 | 申請(專利權)人: | 天水華天科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 甘肅省知識產權事務中心 62100 | 代理人: | 陶濤;李琪 |
| 地址: | 741000 甘*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鎖定 引線框架 高可靠性 封裝件 半導體封裝技術 多芯片堆疊封裝 引線框架表面 引線框架結構 芯片 本實用新型 堆疊封裝件 牢固結合 芯片封裝 不變形 成對的 倒裝焊 多芯片 負相關 高壓IC 回字形 集成度 塑封料 塑封體 成形 角處 可用 兩排 兩組 組數 封裝 匹配 嵌入 松動 平整 保證 | ||
本實用新型公開了一種高可靠性陣列鎖定式引線框架,屬于半導體封裝技術領域。引線框架表面設有至少一組與芯片相匹配的鎖定結構,該鎖定結構包括引線框架四個角處設有的第一鎖定孔,相鄰兩個第一鎖定孔之間設有一排成對的圓形鎖定孔,每兩排圓形鎖定孔之間設有一個橢圓形鎖定孔;鎖定結構的組數與芯片大小成負相關,每兩組鎖定結構呈回字形。芯片封裝時,塑封料會嵌入各個鎖定孔內,既可保證引線框架平整而不變形,又可保證引線框架和塑封體牢固結合,成形分離時不松動,以提高封裝件產品的可靠性。該引線框架結構可用于高壓IC+MOSFET芯片封裝件、多芯片堆疊封裝件和多芯片倒裝焊堆疊封裝件中,集成度高,實現了多功能可靠性封裝。
技術領域
本實用新型屬于半導體封裝技術領域,具體是一種高可靠性陣列鎖定式引線框架。
背景技術
進入21世紀后,電子封裝技術迅猛發展,在一系列高端封裝形式快速發展的同時,客戶對傳統封裝也提出了新的要求,如高集成度、多功能化,特別是高可靠性要求。引線框架既是塑封集成電路生產的四大基礎材料之一,又是電子封裝技術的重要材料。它既是通過內引腳連接IC芯片的承載體,又是通過外引腳使IC芯片與外部連接的橋梁,從而保證電源、信號通暢。目前,傳統的引線框架結構存在封裝翹曲、載體正面分層等缺陷,已不能滿足電子封裝的高可靠性要求。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決上述技術問題,提供一種高可靠性陣列鎖定式引線框架。
本實用新型的高可靠性陣列鎖定式引線框架,其表面設有至少一組與芯片相匹配的鎖定結構,鎖定結構包括引線框架四個角處設有的第一鎖定孔,相鄰兩個第一鎖定孔之間設有一排成對的圓形鎖定孔,每兩排圓形鎖定孔之間設有一個橢圓形鎖定孔;鎖定結構的組數與芯片大小成負相關,每兩組鎖定結構構成回字形結構。
其中,上述引線框架為正方形或長方形,正方形引線框架常用于PQFP/LQFP、QFN等邊長相等的封裝形式中,長方形引線框架用于邊長不相等的封裝形式中。
第一鎖定孔為圓形或半圓形,圓形鎖定孔常用于面積較大位置或小位置處,半圓形鎖定孔用于空間狹窄處,以滿足不同需要。
本實用新型高可靠性陣列鎖定式引線框架可用于高壓IC+MOSFET芯片封裝件中,其具體過程為:首先,將高壓IC 和MOSFET兩種芯片的晶圓各減薄至150μm,接著,在高壓IC芯片晶圓背面粘貼第一膠膜片,采用機械或激光劃片;在MOSFET芯片背面粘貼第三膠膜片,采用機械或激光劃片;然后,在引線框架上表面兩端分別粘貼高壓IC芯片和MOSFET芯片;最后一次性采用雙溫區防離層工藝烘烤,其中,第一溫區80℃烘烤30min,第二溫區150℃烘烤1.5h;烘烤后,先從高壓IC芯片向MOSFET芯片焊線,形成第一鍵合線,接著分別從高壓IC芯片和MOSFET芯片向內引腳反向焊線,形成第二鍵合線和第三鍵合線,最后使用MGP模或全自動包封系統形成第一塑封體,第一塑封體包覆了高壓IC芯片、MOSFET芯片、膠膜片及鍵合線,且塑封料嵌入鎖定結構內形成封裝整體;塑封后,150℃下固化4-5h,并通過激光打印、錫化、切筋成型,得到IC+MOSFET芯片封裝件。
上述引線框架與高壓IC芯片之間通過第二膠膜片貼裝有薄型陶瓷片,該薄型陶瓷片采用機械或激光劃片,且面積大于高壓IC芯片,可使封裝件既能耐1200V以上高壓,確保高壓IC芯片散熱良好,預防高壓IC芯片局部過熱產生應力,又可防止MOSFET芯片被高壓擊穿。
本實用新型高可靠性陣列鎖定式引線框架在多芯片堆疊封裝件中應用時,芯片晶圓厚度≤75μm,且芯片堆疊層數與芯片晶圓厚度成負相關,芯片與引線框架之間、芯片與芯片之間通過膠膜片實現堆疊,相鄰層芯片間高低弧焊線,同時芯片與引線框架內引腳間高弧焊線,塑封時,塑封料嵌入鎖定結構內形成封裝整體,然后固化、激光打印、錫化、切筋成型,得到多芯片堆疊封裝件;其在三芯片堆疊封裝件的具體應用過程為:
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