[實用新型]晶元處理系統

有效

• 申請號: 201721860830.7
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN207953531U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 孫昞澈
• 申請（專利權）人: 凱斯科技股份有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;H01L21/677
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 朱健;陳國軍

本實用新型涉及一種晶元處理系統，并提供一種晶元處理系統，所述晶元處理系統包括：晶元供給部，其用于供給將要進行處理工藝的晶元；研磨部，其從所述晶元供給部獲得所述晶元的供給，并對所述晶元進行研磨，所述晶元處理系統構成為在配置于第一清洗通道的第一清洗模塊和配置于第二清洗通道的第二清洗模塊中任意一個以上對在所述研磨部被研磨的所述晶元進行清洗，從而在占據規定空間的一個配置結構中根據晶元的種類可以進行多種方式的多種研磨工藝。

技術領域

本實用新型涉及一種晶元處理系統，更加詳細地，涉及一種晶元處理系統，其具有一個配置結構的同時可以根據需要進行多種研磨工藝，并且通過使得在生產線中所占據的空間最小化而使得空間效率極大化。

背景技術

半導體元件是由細微的電路線高密度集成而制造的，需要在晶元表面進行與此相應的精密研磨。為了更加精密地進行晶元的研磨，進行機械研磨和化學研磨并行的化學機械研磨工藝(CMP工藝)。

最近，正在通過針對一個晶元進行多種研磨工藝來進行精密的研磨層厚度控制。為了進行多種研磨工藝，提出一種晶元在經過多個研磨平板的同時移動的形態的晶元處理系統。

根據韓國公開專利公報第2011-13384號公開如下一種構成：晶元載體以搭載有晶元的狀態沿著形成為圓形的導軌移動的同時，在沿著導軌配置的多個研磨平板進行多種研磨工藝。但是，由于晶元載體沿著一條導軌按次序移動的同時進行多種研磨工藝，所以問題在于，可以在一個配置結構中進行的多種研磨工藝局限為1種，或者局限為漏掉一部分研磨平板的形式的多種研磨工藝。

另外，根據韓國公開專利公報第2011-65464號，以如下形式構成：晶元搭載于能夠旋轉的圓盤傳送帶的頭，圓盤傳送帶旋轉的同時按順序在規定的研磨平板上進行多種研磨工藝。但是，所述構成也是只通過圓盤傳送帶的旋轉來決定晶元的移動通道，所以具有如下局限：可以在一個配置結構中進行的多種研磨工藝只局限為1種，或者只局限為漏掉一部分研磨平板的形式的多種研磨工藝。

另外，如上所述的化學機械研磨工藝用于使得晶元的研磨層表面平坦化，研磨工藝中所使用的研磨墊使用聚氨酯等比較堅硬的材料。將所述平坦化處理工藝稱作主要研磨工藝。

但是，在堅硬的材料的研磨墊上進行的主要研磨工藝可能會在晶元的研磨表面產生缺陷，因此，最近正在進行如下嘗試：在主要研磨工藝以后，在利用更加低硬度的研磨墊上進行拋光(buffing)研磨工藝，從而使得晶元的研磨面的缺陷最小化，拋光研磨工藝與在主要研磨工藝中進行的研磨相比，在較短的時間內使得晶元研磨到較薄的厚度。

但是，以沒有損傷的狀態對晶元的研磨面進行最后研磨的拋光研磨工藝也可以根據晶元的狀態通過多種工藝進行。換句話說，拋光工藝可以根據晶元的種類或進行的化學機械研磨工藝變量的不同而不同，雖然一般通過一個步驟完成拋光工藝，但是也會發生通過兩個步驟的拋光工藝完成晶元的研磨面的情況。

但是，韓國公開專利公報第2011-13384號和韓國公開專利公報第2011-65464號中公開的利用現有的化學機械研磨系統進行拋光工藝的情況，不僅裝備過于復雜，而且之后的向清洗單元移送的過程也變得復雜，因為也不是相互獨立地進行研磨工藝，所以在對研磨工藝的變量進行控制方面存在局限。

實用新型內容

本實用新型是在前述的技術背景下提出的，其目的在于提供一種晶元處理系統，其能夠在占據規定空間的一個配置結構中根據晶元的種類進行多種方式的多種研磨工藝。

尤其，本實用新型的目的在于，利用以有效率的空間配置設置的晶元處理系統以多種多樣的方式對晶元進行四個步驟的研磨工藝。

另外，本實用新型的目的在于，即使沒有在以搭載有晶元的狀態移動的晶元載體上安裝驅動馬達，也可以在相互不同的位置對接對接單元，從而準確無誤地進行晶元的研磨工藝。