[實(shí)用新型]晶元處理系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721860830.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207953531U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫昞澈 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 凱斯科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B24B37/10 | 分類號(hào)： | B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399 | 代理人： | 朱健;陳國(guó)軍 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶元 處理系統(tǒng) 研磨 清洗模塊 清洗通道 供給部 研磨部 種晶 本實(shí)用新型 處理工藝 配置結(jié)構(gòu) 配置 清洗 占據(jù) | ||
1.一種晶元處理系統(tǒng)，其包括：
晶元供給部，其用于供給將要進(jìn)行處理工藝的晶元；
研磨部，其從所述晶元供給部獲得所述晶元的供給，并對(duì)所述晶元進(jìn)行研磨；
清洗部，其配置于所述晶元供給部和所述研磨部之間，在配置于第一清洗通道的第一清洗模塊和配置于第二清洗通道的第二清洗模塊中任意一個(gè)以上對(duì)在所述研磨部被研磨的所述晶元進(jìn)行清洗，并且所述第一清洗通道和所述第二清洗通道相互隔開(kāi)配置；
傳遞裝置，其設(shè)置于所述清洗部，以便將所述晶元從所述晶元供給部傳遞至所述研磨部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶元處理系統(tǒng)，其特征在于，所述研磨部包括：
裝載部，其從所述晶元供給部獲得所述晶元的供給并將所述晶元搭載至晶元載體；
晶元載體，其以持有在所述裝載部被搭載的所述晶元的狀態(tài)進(jìn)行移動(dòng)；
第1-1研磨平板及第1-2研磨平板，其配置于第一假想線，所述晶元載體可以移動(dòng)的第一移動(dòng)通道屬于第一假想線；
第2-1研磨平板及第2-2研磨平板，其配置于第二假想線，所述晶元載體可以移動(dòng)的第二移動(dòng)通道屬于第二假想線，所述第二假想線與所述第一假想線隔開(kāi)配置；
在所述第一移動(dòng)通道和所述第二移動(dòng)通道之間，所述晶元載體可以移動(dòng)的第三移動(dòng)通道沿著第三假想線配置；
第1-1載體支持架，其以搭載有所述晶元載體的狀態(tài)在與所述第一移動(dòng)通道的一端相面對(duì)的第1-1位置和與第二移動(dòng)通道的一端相面對(duì)的第2-1位置之間的第一連接通道中的所述第1-1位置和與所述第三移動(dòng)通道的一端相面對(duì)的第3-1位置之間往復(fù)移動(dòng)，從而使得所述晶元載體在所述第一移動(dòng)通道和所述第三移動(dòng)通道之間往來(lái)；
第1-2載體支持架，其以搭載有所述晶元載體的狀態(tài)在所述第一連接通道中的所述第3-1位置和所述第2-1位置之間往復(fù)移動(dòng)，從而使得所述晶元載體在所述第三移動(dòng)通道和所述第二移動(dòng)通道之間往來(lái)；
第2-1載體支持架，其以搭載有所述晶元載體的狀態(tài)在與所述第一移動(dòng)通道的另一端相面對(duì)的第1-2位置和與所述第二移動(dòng)通道的另一端相面對(duì)的第2-2位置之間的第二連接通道中的所述第1-2位置和與所述第三移動(dòng)通道的一端相面對(duì)的第3-2位置之間往復(fù)移動(dòng)，從而使得所述晶元載體在所述第一移動(dòng)通道和所述第三移動(dòng)通道之間往來(lái)；
第2-2載體支持架，其以搭載有所述晶元載體的狀態(tài)在所述第二連接通道中的所述第3-2位置和所述第2-2位置之間往復(fù)移動(dòng)，從而使得所述晶元載體在所述第三移動(dòng)通道和所述第二移動(dòng)通道之間往來(lái)；
卸載部，其用于從所述晶元載體卸載所述晶元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶元處理系統(tǒng)，其特征在于，
所述卸載部配置于所述第二連接通道上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶元處理系統(tǒng)，其特征在于，
以所述晶元載體搭載于所述第2-1載體支持架或第2-2載體支持架的狀態(tài)，使得所述晶元從所述晶元載體卸載下來(lái)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶元處理系統(tǒng)，其特征在于，
所述第1-2研磨平板和所述第2-2研磨平板中任意一個(gè)以上配置于所述第一連接通道上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶元處理系統(tǒng)，其特征在于，
所述晶元載體以搭載于所述第1-1載體支持架的狀態(tài)進(jìn)行在所述第1-2研磨平板上的研磨工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶元處理系統(tǒng)，其特征在于，
所述第一移動(dòng)通道由沿著所述第一假想線設(shè)置的第一導(dǎo)軌決定通道，所述第二移動(dòng)通道由沿著所述第二假想線設(shè)置的第二導(dǎo)軌決定通道，所述第三移動(dòng)通道由沿著所述第三假想線設(shè)置的第三導(dǎo)軌決定通道。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶元處理系統(tǒng)，其特征在于，
所述第一連接通道由第一連接軌道決定通道，所述第二連接通道由第二連接軌道決定通道。
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