[實用新型]半導(dǎo)體存儲器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721855393.X
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN207938611U
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

本實用新型提供一種半導(dǎo)體存儲器件結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底、字線結(jié)構(gòu)及接觸結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)及溝槽隔離結(jié)構(gòu)，字線結(jié)構(gòu)形成于所述導(dǎo)體襯底中與有源區(qū)交叉，任一字線結(jié)構(gòu)的一端具有長端尾部，其另一端具有短端尾部，且相鄰的兩所述字線結(jié)構(gòu)的長端尾部與短端尾部呈交錯排布，接觸結(jié)構(gòu)形成于字線結(jié)構(gòu)的長端尾部，以實現(xiàn)字線結(jié)構(gòu)的電引出。本實用新型通過對字線溝槽的掩膜設(shè)計，制備出尾部呈長短錯落排布的字線結(jié)構(gòu)，不需要增大接觸結(jié)構(gòu)整體區(qū)域所占面積，便可增大接觸結(jié)構(gòu)的制作窗口，避免接觸結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的相鄰字線結(jié)構(gòu)的短路。本實用新型不需要對字線結(jié)構(gòu)的尾部做彎曲處理，降低了工藝復(fù)雜性并降低了接觸結(jié)構(gòu)的定位難度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于半導(dǎo)體設(shè)計及制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體存儲器件結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，簡稱：DRAM)是計算機中常用的半導(dǎo)體存儲器件，由許多重復(fù)的存儲單元組成。每個存儲單元通常包括電容器10和晶體管11；晶體管11的柵極與字線13相連、漏極與位線12相連、源極與電容器10相連；字線13上的電壓信號能夠控制晶體管11的打開或關(guān)閉，進(jìn)而通過位線12讀取存儲在電容器10中的數(shù)據(jù)信息，或者通過位線12將數(shù)據(jù)信息寫入到電容器10中進(jìn)行存儲，如圖1所示。

如圖4所示，字線(Word line)的圖案通常是利用間距倍增工藝(Pitch Doubling)的方法制備，由于制程的限制，一對字線(Word line)101的尾端會連接成環(huán)狀的結(jié)構(gòu)108，這種結(jié)構(gòu)會造成一對字線(Word line)101的短路，所以后續(xù)制程需要將字線(Word line)101尾端切斷，如圖5所示。

如圖2～3及圖6所示，切段后的字線(Word line)101需要字線驅(qū)動器(Word lineDriver)104來實現(xiàn)驅(qū)動，因此需要在字線(Word line)101和字線驅(qū)動器(Word lineDriver)104之間加上接觸結(jié)構(gòu)(contact)103來實現(xiàn)連接，字線驅(qū)動器(Word line Driver)104與字線譯碼電路105相連，位線(Bit line)102與字線(Word line)101交叉，且連接于位線譯碼電路106，其中，字線(Word line)101的漏極與電容器107相連，如圖3所示。現(xiàn)有技術(shù)是將接觸結(jié)構(gòu)(contact)103以對稱的方式置，如圖6所示。

上述方案具有以下缺點：

第一，接觸結(jié)構(gòu)(contact)103的制作窗口較小，容易導(dǎo)致相鄰兩字線(Word line)101之間的短路；

第二，字線(Word line)101制作接觸結(jié)構(gòu)(contact)103的連線部位需要做彎曲處理，提高了工藝的復(fù)雜性，以及接觸結(jié)構(gòu)(contact)103定位的難度。

基于以上所述，提供一種可以有效增大相鄰字線接觸結(jié)構(gòu)的窗口，且工藝簡單，接觸結(jié)構(gòu)(contact)103定位的難度較低的半導(dǎo)體存儲器件結(jié)構(gòu)及其制作方法實屬必要。

實用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體存儲器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中相鄰字線接觸結(jié)構(gòu)的窗口較小、工藝復(fù)雜、接觸結(jié)構(gòu)定位困難等問題。