[實用新型]半導體存儲器件結構

有效

• 申請號: 201721855393.X
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN207938611U
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種半導體存儲器件結構，其特征在于，包括：

半導體襯底，包括有源區及溝槽隔離結構，所述有源區由所述溝槽隔離結構隔離；

字線結構，形成于所述半導體襯底中與所述有源區交叉，相對于所述有源區的配置數組區，任一所述字線結構的一端具有長端尾部，其另一端具有短端尾部，且相鄰的兩所述字線結構的所述長端尾部與所述短端尾部呈交錯排布；以及

接觸結構，形成于所述字線結構的所述長端尾部，以實現所述字線結構的電引出。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件結構，其特征在于：所述字線結構呈直線型延伸，以提高所述接觸結構的定位精度。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件結構，其特征在于：所述字線結構的所述長端尾部的長度介于20納米～200納米之間。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件結構，其特征在于：所述半導體襯底中形成有字線溝槽，所述字線結構包括：

第一介質層，形成于所述字線溝槽的底部及側壁；

導電材料層，填充于所述字線溝槽中，所述導電材料層的頂面低于所述半導體襯底的頂面，以形成凹槽；以及

第二介質層，填充于所述凹槽中，以掩埋所述導電材料層。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器件結構，其特征在于：所述接觸結構包括：

接觸窗，形成于所述半導體襯底中，所述接觸窗顯露所述字線結構的所述長端尾部中的所述導電材料層；

粘附層，形成于所述接觸窗的底部及側壁；以及

金屬層，填充于所述接觸窗中。

6.根據權利要求1～5任一項所述的半導體存儲器件結構，其特征在于：所述接觸結構的長度不大于所述字線結構的所述長端尾部的長度，所述接觸結構的長度介于20納米～200納米之間，所述接觸結構的寬度介于10納米～70納米之間。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器件結構，其特征在于：還包括一字線驅動電路，所述字線驅動電路通過所述接觸結構與所述字線結構連接。