[實(shí)用新型]晶圓處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721854614.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207611754U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛榮華;闞保國(guó);劉家樺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理腔室 容納腔 氣缸 晶圓處理裝置 本實(shí)用新型 側(cè)板 開(kāi)口 半導(dǎo)體制造技術(shù) 處理裝置 氣缸連接 生產(chǎn)效率 晶圓 種晶 容納 閑置 | ||
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓處理裝置。所述晶圓處理裝置,包括處理腔室以及與所述處理腔室連接的容納腔,所述容納腔用于容納氣缸,所述容納腔包括多個(gè)與所述處理腔室連接的第一側(cè)板;至少一第一側(cè)板上設(shè)置有一第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口用于更換氣缸。本實(shí)用新型提高了氣缸更換的效率,避免了與氣缸連接的腔室長(zhǎng)時(shí)間閑置的問(wèn)題,從而提高了晶圓的生產(chǎn)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓處理裝置。
背景技術(shù)
在晶圓的制造過(guò)程中,經(jīng)常需要使用密閉腔室,以將待處理的晶圓與外界環(huán)境隔離,在確保晶圓處理過(guò)程順利進(jìn)行的同時(shí),也避免晶圓受到外界環(huán)境的干擾。為了實(shí)現(xiàn)腔室的密閉,一般來(lái)說(shuō),都設(shè)置有一與所述腔室連接的氣缸,通過(guò)氣缸帶動(dòng)所述腔室密封門的開(kāi)關(guān)。
但是,氣缸在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的運(yùn)行后會(huì)產(chǎn)生氣體的泄露,從而導(dǎo)致腔體密封門開(kāi)關(guān)的延遲,對(duì)腔室內(nèi)工藝的進(jìn)行產(chǎn)生一定程度的影響。為了避免該問(wèn)題,在氣缸使用一段時(shí)間后,需要進(jìn)行更換。然而,為了避免氣缸在使用過(guò)程中受到外界環(huán)境的干擾,現(xiàn)有的氣缸被封閉于一由側(cè)板、操作板與底板圍繞而成的容納腔中,該容納腔與所述腔室連接、且與所述腔室的外殼采用一體化的設(shè)計(jì)。這樣,當(dāng)用戶需要對(duì)與所述腔室連接的氣缸進(jìn)行更換時(shí),需要將構(gòu)成所述容納腔的側(cè)板、操作板與底板完全拆除。這不僅增加了氣缸更換的作業(yè)難度,而且進(jìn)行氣缸更換的操作耗時(shí)較長(zhǎng),從而導(dǎo)致與氣缸連接的腔室長(zhǎng)時(shí)間的閑置,嚴(yán)重影響了晶圓的生產(chǎn)效率。
因此,如何提高氣缸更換的效率,簡(jiǎn)化氣缸更換的工藝操作步驟,以確保晶圓的生產(chǎn)效率,是目前亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種晶圓處理裝置,用以解決現(xiàn)有的氣缸更換效率較低、操作步驟復(fù)雜的問(wèn)題,進(jìn)而提高晶圓的生產(chǎn)效率。
為了解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種晶圓處理裝置,包括處理腔室以及與所述處理腔室連接的容納腔,所述容納腔用于容納氣缸,所述容納腔包括多個(gè)與所述處理腔室連接的第一側(cè)板;至少一第一側(cè)板上設(shè)置有一第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口用于更換氣缸。
優(yōu)選的,相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)第一側(cè)板上分別設(shè)置有一第一開(kāi)口。
優(yōu)選的,兩個(gè)第一開(kāi)口關(guān)于所述容納腔的軸向?qū)ΨQ設(shè)置。
優(yōu)選的,還包括多個(gè)與所述處理腔室連接的第二側(cè)板,多個(gè)第一側(cè)板圍繞多個(gè)第二側(cè)板的外周設(shè)置,且所述氣缸位于由多個(gè)第二側(cè)板圍繞而成的腔體中;所述第二側(cè)板上與所述第一開(kāi)口對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第二開(kāi)口。
優(yōu)選的,所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口的形狀均為矩形。
優(yōu)選的,所述第一開(kāi)口的尺寸大于或等于所述第二開(kāi)口的尺寸。
優(yōu)選的,所述第一開(kāi)口的高度為20cm。
優(yōu)選的,所述第一開(kāi)口的邊沿與所述第一側(cè)板的側(cè)邊沿之間的距離為5cm。
優(yōu)選的,所述第一開(kāi)口采用切割工藝制造而成。
本實(shí)用新型提供的晶圓處理裝置,通過(guò)設(shè)置多個(gè)側(cè)板構(gòu)成用于容納氣缸的容納腔,并在至少一側(cè)板上設(shè)置一用于更換氣缸的第一開(kāi)口,這樣,在對(duì)所述晶圓處理裝置中的氣缸進(jìn)行更換時(shí),不需要將第一側(cè)板整體進(jìn)行拆除,降低了氣缸更換的作業(yè)難度,簡(jiǎn)化了氣缸更換的工藝操作步驟,提高了氣缸更換的效率,避免了與氣缸連接的腔室長(zhǎng)時(shí)間閑置的問(wèn)題,從而提高了晶圓的生產(chǎn)效率。
附圖說(shuō)明
附圖1是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中晶圓處理裝置的組合結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中容納腔的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的晶圓處理裝置的具體實(shí)施方式做詳細(xì)說(shuō)明。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





