[實用新型]晶圓處理裝置有效
| 申請號： | 201721854614.1 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN207611754U | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 薛榮華;闞保國;劉家樺 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理腔室 容納腔 氣缸 晶圓處理裝置 本實用新型 側板 開口 半導體制造技術 處理裝置 氣缸連接 生產效率 晶圓 種晶 容納 閑置 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓處理裝置，包括處理腔室以及與所述處理腔室連接的容納腔，所述容納腔用于容納氣缸，其特征在于，所述容納腔包括多個與所述處理腔室連接的第一側板；至少一第一側板上設置有一第一開口，所述第一開口用于更換氣缸。
2.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，相對設置的兩個第一側板上分別設置有一第一開口。
3.根據權利要求2所述的晶圓處理裝置，其特征在于，兩個第一開口關于所述容納腔的軸向對稱設置。
4.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，還包括多個與所述處理腔室連接的第二側板，多個第一側板圍繞多個第二側板的外周設置，且所述氣缸位于由多個第二側板圍繞而成的腔體中；所述第二側板上與所述第一開口對應的位置設置有第二開口。
5.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一開口和所述第二開口的形狀均為矩形。
6.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一開口的尺寸大于或等于所述第二開口的尺寸。
7.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一開口的高度為20cm。
8.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一開口的邊沿與所述第一側板的側邊沿之間的距離為5cm。
9.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一開口采用切割工藝制造而成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于德淮半導體有限公司，未經德淮半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721854614.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種封裝芯片整形塊
- 下一篇：一種太陽能電池清洗后的硅片存儲器
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
