[實用新型]高壓LED芯片

有效

• 申請號: 201721851693.0
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN207719230U
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 王思博;簡弘安;劉宇軒;陳順利;丁逸圣
• 申請（專利權）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/62
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 景懷宇;李雙皓

本實用新型提供一種高壓LED芯片，所述高壓LED芯片包括襯底、第一芯片、第二芯片和連接電極。所述第一芯片設置于所述襯底，所述第一芯片包括垂直于所述襯底表面依次生長的第一N型半導體層、第一發光層和第一P型半導體層。所述第二芯片與所述第一芯片間隔設置，所述第二芯片包括垂直于所述襯底表面依次生長的第二N型半導體層、第二發光層和第二P型半導體層。所述第一N型半導體層靠近所述第二芯片的側面為第一側面，所述第一側面與所述襯底表面所成的夾角為30?55度。所述連接電極覆蓋于所述第一側面和第二芯片靠近所述第一芯片的側面。所述連接電極將所述第一N型半導體層與所述第二P型半導體層電連接且與所述第二發光層和第二N型半導體層電絕緣。

技術領域

本實用新型涉及半導體光電芯片技術領域，特別是涉及一種高壓LED芯片。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，LED)由于擁有高光效、低耗能、長壽命、無毒綠色等優點正逐步成為傳統照明市場的主流照明光源，在景觀照明、道路照明、室內照明等領域得到愈來愈多的應用。高壓LED(High-Voltage LED)以其小電流驅動、簡潔的驅動電路設計等優點逐漸成為照明領域的新突破。高壓LED是指把一個大尺寸芯片的外延層通過刻蝕深溝槽的方式分割為多個獨立的芯粒，并通過蒸鍍電極連接橋的方式將各個芯粒以串聯的方式連接起來而構成的LED芯片，由于單個芯粒的電壓在20mA電流的驅動下為3V，因此，串聯后獲得的LED芯片的工作電壓可以達到45-51V，故稱為高壓LED芯片。

現有高壓LED芯片隔離槽的角度多為大角度(大于55度)，金屬互聯覆蓋在大角度隔離槽上容易過薄或者斷裂，并且現有串聯結構主要為單橋串聯結構，這些使器件良率和可靠性上存在一定風險。

實用新型內容

基于此，有必要針對高壓LED芯片的器件良率和可靠性低的問題，提供一種高壓LED芯片。

本實用新型提供一種高壓LED芯片，所述高壓LED芯片包括襯底、第一芯片、第二芯片和連接電極。所述第一芯片設置于所述襯底，所述第一芯片包括垂直于所述襯底表面依次生長的第一N型半導體層、第一發光層和第一P型半導體層。所述第二芯片與所述第一芯片間隔設置，所述第二芯片包括垂直于所述襯底表面依次生長的第二N型半導體層、第二發光層和第二P型半導體層。所述第一N型半導體層靠近所述第二芯片的側面為第一側面，所述第一側面與所述襯底表面所成的夾角為30-55度。所述連接電極覆蓋于所述第一側面和第二芯片靠近所述第一芯片的側面。所述連接電極將所述第一N型半導體層與所述第二P型半導體層電連接且與所述第二發光層和第二N型半導體層之間電絕緣。

在其中一個實施例中，所述連接電極為多個，多個所述連接電極相互間隔設置。

在其中一個實施例中，所述連接電極的一端覆蓋所述第一N型半導體層的部分表面，并與所述第一發光層和所述第一P型半導體層間隔設置。

在其中一個實施例中，所述高壓LED芯片還包括第一絕緣層，設置于所述第二芯片靠近于所述第一芯片的側面與所述連接電極之間。

在其中一個實施例中，所述第一絕緣層覆蓋所述第一側面，并設置于所述第一側面與所述連接電極之間。

在其中一個實施例中，所述連接電極的另一端覆蓋所述第二P型半導體層的部分表面。

在其中一個實施例中，所述第一絕緣層的一端覆蓋所述第二P型半導體層的部分表面，覆蓋所述第二P型半導體層的所述第一絕緣層設置于所述第二P型半導體層和所述連接電極之間。

在其中一個實施例中，所述高壓LED芯片還包括第二透明導電層，所述第二透明導電層部分覆蓋所述第二P型半導體層，部分設置于所述第一絕緣層和所述連接電極之間。