[實(shí)用新型]高壓LED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721851693.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207719230U | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王思博;簡(jiǎn)弘安;劉宇軒;陳順利;丁逸圣 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連德豪光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/20 | 分類號(hào)： | H01L33/20;H01L33/62 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 景懷宇;李雙皓 |
| 地址： | 116051 遼寧省*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 高壓LED芯片 襯底表面 連接電極 側(cè)面 發(fā)光層 襯底 垂直 本實(shí)用新型 芯片間隔 生長(zhǎng) 電絕緣 電連接 夾角為 覆蓋 | ||
1.一種高壓LED芯片(100)，其特征在于，包括：
襯底(10)；
第一芯片(210)設(shè)置于所述襯底(10)，所述第一芯片(210)包括垂直于所述襯底(10)表面依次生長(zhǎng)的第一N型半導(dǎo)體層(211)、第一發(fā)光層(212)和第一P型半導(dǎo)體層(213)；
與所述第一芯片(210)間隔設(shè)置的第二芯片(220)設(shè)置于所述襯底(10)，所述第二芯片(220)包括垂直于所述襯底(10)表面依次生長(zhǎng)的第二N型半導(dǎo)體層(221)、第二發(fā)光層(222)和第二P型半導(dǎo)體層(223)；
所述第一N型半導(dǎo)體層(211)靠近所述第二芯片(220)的側(cè)面為第一側(cè)面(30)，所述第一側(cè)面(30)與所述襯底(10)表面所成的夾角為30-55度；
連接電極(40)，覆蓋于所述第一側(cè)面(30)和所述第二芯片(220)靠近所述第一芯片(210)的側(cè)面，所述連接電極(40)將所述第一N型半導(dǎo)體層(211)與所述第二P型半導(dǎo)體層(223)電連接，并且與所述第二發(fā)光層(222)和所述第二P型半導(dǎo)體層(223)電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，所述連接電極(40)為多個(gè)，多個(gè)所述連接電極(40)相互間隔設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，所述連接電極(40)的一端覆蓋所述第一N型半導(dǎo)體層(211)的部分表面，并與所述第一發(fā)光層(212)和所述第一P型半導(dǎo)體層(213)間隔設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，還包括第一絕緣層(50)，設(shè)置于所述第二芯片(220)靠近于所述第一芯片(210)的側(cè)面與所述連接電極(40)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，所述第一絕緣層(50)覆蓋所述第一側(cè)面(30)，并設(shè)置于所述第一側(cè)面(30)與所述連接電極(40)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，所述連接電極(40)的另一端覆蓋所述第二P型半導(dǎo)體層(223)的部分表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，所述第一絕緣層(50)的一端覆蓋所述第二P型半導(dǎo)體層(223)的部分表面，覆蓋所述第二P型半導(dǎo)體層(223)的所述第一絕緣層(50)設(shè)置于所述第二P型半導(dǎo)體層(223)和所述連接電極(40)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，還包括第二透明導(dǎo)電層(61)部分覆蓋第二P型半導(dǎo)體層(223)，部分設(shè)置于所述第一絕緣層(50)與所述連接電極(40)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，還包括：
第一透明導(dǎo)電層(60)，覆蓋所述第一P型半導(dǎo)體層(213)；
第一P型電極(214)，設(shè)置與所述第一透明導(dǎo)電層(60)表面，所述第一透明導(dǎo)電層(60)設(shè)置于所述第一P型電極(214)與所述第一P型半導(dǎo)體層(213)之間；
第二N型電極(224)，設(shè)置于所述第二N型半導(dǎo)體層(221)表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，還包括第二絕緣層(51)，覆蓋所述第一P型半導(dǎo)體層的部分表面，并設(shè)置于所述第一P型半導(dǎo)體層213與所述第一透明導(dǎo)電層60之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的高壓LED芯片(100)，其特征在于，所述第二芯片(220)靠近所述第一芯片(210)的側(cè)面與所述襯底(10)表面所成的夾角為30-55度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大連德豪光電科技有限公司，未經(jīng)大連德豪光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721851693.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
