[實用新型]帶水冷的旋轉下降裝置及具有該裝置的晶體生長裝置

有效

• 申請號: 201721850789.5
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN207811926U
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 沈彭平;柯金偉;任雄
• 申請（專利權）人: 上海煜志機電設備有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

本實用新型技術方案公開了一種帶水冷的旋轉下降裝置，包括支架、水冷桿、旋轉裝置、真空加熱裝置、設于所述支架上的線性導軌、設于所述線性導軌上的線性導軌滑塊、設于所述支架上的升降裝置及設于所述真空加熱裝置內的工件，所述水冷桿的一端固定于所述升降裝置，另一端伸入所述真空加熱裝置并支撐所述工件，所述升降裝置與所述線性導軌通過所述線性導軌滑塊相連，所述升降裝置帶動所述水冷桿沿所述線性導軌上下滑動，所述旋轉裝置與所述水冷桿相連，所述水冷桿內設有進水管道，所述水冷桿側壁設有冷卻水出口。本實用新型技術方案具有密封性能良好、晶體生長速率高、制備的晶體均勻性較好、結構簡單、易于操作等優點，具有較高的應用價值。

技術領域

本實用新型涉及結晶設備領域，尤其涉及一種帶水冷的旋轉下降裝置及具有該裝置的晶體生長裝置。

背景技術

晶體材料是二十一世紀高科技領域應用中最熱門的材料之一。目前針對不同的晶體，通常都有多種生長工藝和方法可供選擇，根據生長原理大致可以分為氣相法，溶液法，熔體法，外延法等，應用比較廣泛和成熟的是熔體生長法，比較典型的熔體生長技術主要包括提拉法(CZ)，泡生法(Ky)，定向凝固法(DS)，區熔法(FZ)，坩堝下降法(VGF)，熱交換法(HEM)等，由于晶體提拉法制備結晶時具有可以直接進行測試與觀察，便于控制生長條件、晶體生長速度較快、晶體光學均勻性高等優點，所以廣泛被運用。

然而，使用現有的裝置在制備晶體時，晶體的生長速度慢，所制得的晶體均勻性還有待提升。

實用新型內容

本實用新型技術方案所要解決的技術問題是晶體生長速度慢、均勻性差。

為解決上述技術問題，本實用新型技術方案提供了一種帶水冷的旋轉下降裝置，包括支架、水冷桿、旋轉裝置、真空加熱裝置、設于所述支架上的線性導軌、設于所述線性導軌上的線性導軌滑塊、設于所述支架上的升降裝置及設于所述真空加熱裝置內的工件，所述水冷桿的一端固定于所述升降裝置，另一端伸入所述真空加熱裝置并支撐所述工件，所述升降裝置與所述線性導軌通過所述線性導軌滑塊相連，所述升降裝置帶動所述水冷桿沿所述線性導軌上下滑動，所述旋轉裝置與所述水冷桿相連，所述水冷桿內設有進水管道，所述水冷桿側壁設有冷卻水出口。

可選的，所述升降裝置包括帶有絲桿螺母的滾珠絲桿升降機和連接安裝板，所述滾珠絲桿升降機設于所述支架上，所述連接安裝板連接所述線性導軌滑塊與所述絲桿螺母。

可選的，所述水冷桿上設有磁流體，所述磁流體連接所述連接安裝板與所述水冷桿。

可選的，所述旋轉裝置包括旋轉電機與旋轉傳動裝置，所述旋轉電機通過所述旋轉傳動裝置帶動所述水冷桿旋轉。

可選的，所述旋轉傳動裝置包括兩個帶輪與皮帶，所述帶輪一個設于所述旋轉電機的電機軸上，另一個設于所述水冷桿上，所述皮帶環繞兩個帶輪。

可選的，所述水冷桿外套設有用于密封的波紋管。

可選的，所述冷卻水出口采用旋轉接頭。

為解決上述技術問題，本實用新型技術方案還提供了一種晶體生長裝置，包括上述的帶水冷的旋轉下降裝置。

與現有技術相比，本實用新型的技術方案具有以下優點：

水冷桿上連接旋轉裝置，工件隨水冷桿下降的同時進行旋轉，能夠加速晶體生長，同時提高晶體的均勻性；采用波紋管與磁流體對水冷桿進行密封，增加了整個裝置的密封性能。

因而，該裝置密封性能良好，晶體生長速率高，制備的晶體均勻性較好，結構簡單，易于操作，具有較高的應用價值。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例的帶水冷的旋轉下降裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例的帶水冷的旋轉下降裝置的局部結構示意圖。