[實用新型]一種多晶硅電池片的低壓擴散設備有效
| 申請號: | 201721848397.5 | 申請日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN207637830U | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發明(設計)人: | 邱小永;趙慶國;李小飛;孫林飛;陸波;周海權 | 申請(專利權)人: | 浙江貝盛光伏股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/22 |
| 代理公司: | 杭州千克知識產權代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金華 |
| 地址: | 313000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透氣外殼 立式爐 排氣管 爐體 多晶硅電池片 擴散設備 抽氣機 混合箱 間隔層 石英舟 爐腔 太陽能光伏電池 本實用新型 廢氣收集箱 空氣排放管 中軸線位置 擴散 加熱爐壁 爐腔內壁 進氣管 選擇閥 圓筒形 穿孔 硅片 頂面 擱架 鉸接 爐蓋 排氣 穿過 制造 | ||
本實用新型涉及太陽能光伏電池制造領域,具體涉及一種多晶硅電池片的低壓擴散設備,包括:爐體、石英舟、擴散氣混合箱、抽氣機、選擇閥、空氣排放管和廢氣收集箱;所述爐體包括,圓筒形的立式爐身、所述立式爐身頂部鉸接的爐蓋以及所述立式爐身中軸線位置處的排氣管,所述立式爐身包括,內部的爐腔和外側的加熱爐壁;所述石英舟設置在所述爐腔內,包括,透氣外殼和硅片擱架,所述透氣外殼上下頂面處設置有排氣穿孔,所述排氣管穿過所述透氣外殼的中心,所述透氣外殼與所述爐腔內壁設置有間隔層,所述間隔層與所述擴散氣混合箱通過進氣管相連;所述排氣管與設置在所述爐體底部的抽氣機相連。
技術領域
本實用新型涉及太陽能光伏電池制造領域,具體涉及一種多晶硅電池片的低壓擴散設備。
背景技術
在各種太陽能電池中,硅太陽能電池因其可靠性高、壽命長、能承受各種環境變化等優點成為太陽能電池的主要品種。太陽電池產業化所面臨的主要問題之一是如何在保證電池高轉換效率前提下提高產能。擴散制作P-N結是晶體硅太陽電池的核心,也是電池質量好壞的關鍵之一。對于擴散工序,最大的問題是如何提高擴散的均勻性。擴散的均勻性直接體現在硅片擴散后PN結結深的差異性上,均勻性好則結深的差異性小,反之亦然。而不同的結深對應的燒結溫度也是不一樣的。換個角度來說,同樣的燒結條件對于擴散均勻性好的電池片,其歐姆接觸就會好,短路電流、填充因子等電性能參數也會比較穩定。這樣,電池片的轉換效率也就更穩定。并且,電池片與電池片之間的電性能參數一致性好,也有利于組件的穩定性和防衰減性,從而提高了太陽電池的使用壽命。因此,如何來提高擴散的均勻性就顯得非常有必要。
實用新型內容
本實用新型的目的,是為了解決背景技術中的問題,提供一種多晶硅電池片的低壓擴散設備。
本實用新型的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的:
一種多晶硅電池片的低壓擴散設備,包括:爐體、石英舟、擴散氣混合箱、抽氣機、選擇閥、空氣排放管和廢氣收集箱;所述爐體包括,圓筒形的立式爐身、所述立式爐身頂部鉸接的爐蓋以及所述立式爐身中軸線位置處的排氣管,所述立式爐身包括,內部的爐腔和外側的加熱爐壁;所述石英舟設置在所述爐腔內,包括,透氣外殼和硅片擱架,所述透氣外殼上下頂面處設置有排氣穿孔,所述排氣管穿過所述透氣外殼的中心,所述透氣外殼與所述爐腔內壁設置有間隔層,所述間隔層與所述擴散氣混合箱通過進氣管相連;所述排氣管與設置在所述爐體底部的抽氣機相連,所述抽氣機與所述選擇閥相連,所述空氣排放管和廢氣收集箱并聯在所述選擇閥的后端。
作為優選,所述硅片擱架上設置有擱槽,所述擱槽的寬度為0.3-0.6mm,所述擱槽的間距為1.5-2.38mm。
由于采用低壓環境使得分子自由程增長,增強了穿透力,從而提升了摻雜均勻性。并且由于提高了均勻性,消減了傳統擴散的光環效應,使分子的穿透能力變強,故石英舟槽間距設計可由目前標準的4.76mm調整為1.5-2.38mm,使得在擴散爐爐腔大小不變的前提下產能得以大幅度提升。
作為優選,所述透氣外殼側壁上設置有透氣孔。
作為優選,所述排氣管朝向所述硅片擱架側設置有排氣孔。
作為優選,所述硅片擱架分成四組,以所述排氣管軸線為軸線四等分圓周均布。
作為優選,所述加熱爐壁內設置有電加熱絲。
作為優選,所述爐蓋底部設置有密封蓋,所述密封蓋在所述爐蓋處于閉合狀態時與所述透氣外殼頂部相密封。
作為優選,所述透氣孔為橫向條形孔,其寬度為1-2mm,其間隔為0.5-0.6mm。
綜上所述,本實用新型的有益效果:
① 本實用新型所述的一種多晶硅電池片的低壓擴散設備,通過抽真空的方式,降低了擴散設備內部的壓力,從而減少了湍流產生,提高氣氛均勻性,從而提高了擴散的均勻性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





