[實用新型]一種金錫焊盤單層陶瓷電容器有效
| 申請號： | 201721837794.2 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN207743077U | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發明（設計）人： | 李杰成;楊俊鋒;丁明建;馮毅龍;莊彤 | 申請（專利權）人： | 廣州天極電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;H01G4/008;H01G4/224 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市海珠區大干*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單層 陶瓷電容器 第一電極 介質層 錫焊盤 本實用新型 第二電極 金錫焊層 封裝 瓷介電容器 金錫焊料 | ||
【權利要求書】：
1.一種金錫焊盤單層陶瓷電容器，其特征在于，所述金錫焊盤單層陶瓷電容器包括：第一電極層、介質層、第二電極層和金錫焊層，所述第一電極層通過所述介質層與所述第二電極層連接，所述金錫焊層設置在所述第一電極層或所述第二電極層上。
2.根據權利要求1所述的金錫焊盤單層陶瓷電容器，其特征在于，所述金錫焊層的厚度為0.1～100μm，所述金錫焊層的熔點為280～320℃。
3.根據權利要求1所述的金錫焊盤單層陶瓷電容器，其特征在于，所述介質層的材料為陶瓷。
4.根據權利要求1所述的金錫焊盤單層陶瓷電容器，其特征在于，所述第一電極層的材料為單層金屬或多層金屬；所述第二電極層的材料為單層金屬或多層金屬。
5.根據權利要求4所述的金錫焊盤單層陶瓷電容器，其特征在于，所述單層金屬的材料為銀、銅、鎳、錫或金。
6.根據權利要求4所述的金錫焊盤單層陶瓷電容器，其特征在于，所述多層金屬的材料為鈦鎢/金、鈦鎢/鎳/金/或鈦/銅/金。
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