[實用新型]一種金錫焊盤單層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201721837794.2
• 申請日: 2017-12-26
• 公開（公告）號: CN207743077U
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 李杰成;楊俊鋒;丁明建;馮毅龍;莊彤
• 申請（專利權）人: 廣州天極電子科技有限公司
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/008;H01G4/224
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王戈

本實用新型公開一種金錫焊盤單層陶瓷電容器。所述金錫焊盤單層陶瓷電容器包括：第一電極層、介質層、第二電極層和金錫焊層，所述第一電極層通過所述介質層與所述第二介質層連接，所述金錫焊層設置在所述第一電極層或所述第二電極層上。本實用新型提高了單層瓷介電容器封裝的效率，降低了封裝所用金錫焊料的成本。

技術領域

本實用新型涉及電容器領域，特別是涉及一種金錫焊盤單層陶瓷電容器。

背景技術

隨著微波通訊技術的發展，通訊頻率不斷向高頻化的方向發展，民移動通訊的頻率從900MHz發展到1800MHz，再發展到2400MHz，軍用雷達信號頻率從18GHz逐漸發展到40GHz，電子元件如電容器也不斷的朝高頻化的方向發展。

片式單層陶瓷電容器(Single Layer Capacitors；SLC)無內電極，等效串聯電感(Equivalent Series Inductance；ESL)ESL和等效串聯電阻(Equivalent SeriesResistance；ESR)較小，故高頻性能好，在微波通訊領域的應用越來越廣泛。由于SLC表面一般使用Au、Cu、Al等金屬作為電極，底電極通過導電膠或PbSn、AuSn等焊料粘接于集成電路或陶瓷薄膜電路相應的焊盤上，上電極通過引線鍵合(Wire Bonding)技術與其他電路元件實現電氣互連，滿足微組裝封裝工藝，因此SLC大量應用于微波混合集成電路，起濾波、隔直、耦合、去耦等作用，在現代民用及軍用通訊設備中的用量越來越大。

傳統的金錫合金封裝工藝一般先將金錫合金預成型片放置于需要封裝的區域，然后在金錫預成型片上放置元件，最后加熱到280～320℃之間使金錫合金預成型片熔化，當溫度降到熔點以下(如室溫)便完成封裝過程。使用金錫預成型片進行封裝，有三個顯著的缺點：第一，金錫預成型片放置于待封裝區域，無法精確定位，從而導致封裝精度差；第二，放置金錫預成型片的過程消耗時間，影響封裝效率；第三，金錫合金預成型片最薄為25微米，而金錫焊盤封裝金錫層厚度只需要3-5μm即可，因此，使用金錫合金預成型片成本高。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種金錫焊盤單層陶瓷電容器，用來提高單層瓷介電容器封裝的效率以及降低封裝所用金錫焊料的成本。

為實現上述目的，本實用新型提供了如下方案：

一種金錫焊盤單層陶瓷電容器，包括：第一電極層、介質層、第二電極層和金錫焊層，所述第一電極層通過所述介質層與所述第二介質層連接，所述金錫焊層設置在所述第一電極層或所述第二電極層上。

可選的，所述金錫焊層的厚度為0.1～100μm，所述金錫焊層的熔點為280～320℃。

可選的，所述介質層的材料為陶瓷。

可選的，所述第一電極層的材料為單層金屬或多層金屬；所述第二電極層的材料為單層金屬或多層金屬。

可選的，所述單層金屬的材料為銀、銅、鎳、錫或金。

可選的，所述多層金屬的材料為鈦鎢/金、鈦鎢/鎳/金/或鈦/銅/金。

根據本實用新型提供的具體實施例，本實用新型公開了以下技術效果：

本實用新型的金錫焊盤單層陶瓷電容器，在電路表面需要金錫焊接的地方，電鍍上了一層金錫焊料，形成金錫焊層。本實用新型的有益效果是：第一，金錫焊層實現了精確定位；第二，不用放置金錫預成型片，提高了封裝效率；第三，大大降低了金錫合金的用量，降低了封裝所使用的金錫的成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。