[實(shí)用新型]超聲放電模式控制裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721826844.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207636751U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐明;于文娟;謝小渭;魏略;閆金勝;李朋;申漢革;王媛媛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海長(zhǎng)園共創(chuàng)軟件技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R35/00
• 分類號(hào): G01R35/00;G01R1/28
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291
• 代理人: 楊煥軍

超聲放電模式控制裝置，包括：絕緣外殼；設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的模式存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)不同類型的放電脈沖特征序列；設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的主控制器，用于從模式存儲(chǔ)器讀取放電脈沖特征序列，并進(jìn)行轉(zhuǎn)換后輸出；設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的信號(hào)放大器，用于將輸出自主控制器的信號(hào)放大；設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的放電量校核器，用于調(diào)整經(jīng)放大后的信號(hào)的幅值及脈沖寬度；設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的分時(shí)控制器，用于控制經(jīng)調(diào)整后的信號(hào)的輸出時(shí)間差；設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的電源模塊；設(shè)置于絕緣外殼外的一對(duì)電聲轉(zhuǎn)換器，放電量校核器將信號(hào)分成兩路經(jīng)分時(shí)控制器分別輸出至各電聲轉(zhuǎn)換器。本實(shí)用新型可以產(chǎn)生多種局部放電信號(hào)，并可確保局部放電脈沖信號(hào)及故障模式的準(zhǔn)確性及重復(fù)性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電力設(shè)備安全檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種用于GIS絕緣狀態(tài)監(jiān)測(cè)和診斷設(shè)備測(cè)試的超聲放電模式控制裝置。

背景技術(shù)

電力設(shè)備是現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)中極為重要的裝置之一，電力設(shè)備一旦發(fā)生故障將會(huì)帶來(lái)重大的經(jīng)濟(jì)損失。絕緣擊穿是造成電力設(shè)備故障的主要原因。隨著制造工藝的提高和技術(shù)的進(jìn)步，越來(lái)越多的新型電力設(shè)備不斷投入到電力系統(tǒng)中，組合電器(GIS/HGIS)因其結(jié)構(gòu)緊湊、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨廣泛。

GIS內(nèi)部放電缺陷的原因有如下幾種：微小金屬顆粒、絕緣介質(zhì)中的微小氣泡、接地外殼上的微小尖端與導(dǎo)體上的微小尖端等。超聲波傳感器可以檢測(cè)局部放電產(chǎn)生的超聲波信號(hào)，并已廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備的絕緣現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)中。但局部放電檢測(cè)設(shè)備的性能考核，一般都通過(guò)在GIS內(nèi)部設(shè)置人工缺陷，施加高壓使其發(fā)生放電，以此檢驗(yàn)儀器性能。這種方式存在人工缺陷一致性不理想、實(shí)驗(yàn)重復(fù)性難以保證、更換人工缺陷模型繁瑣等缺點(diǎn)，迫切需要一些新的模擬手段。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種超聲放電模式控制裝置，可以產(chǎn)生多種局部放電信號(hào)，且可確保局部放電脈沖信號(hào)及故障模式的準(zhǔn)確性及重復(fù)性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取如下的技術(shù)解決方案：

超聲放電模式控制裝置，包括：絕緣外殼；設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的模式存儲(chǔ)器，所述模式存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)不同類型的放電脈沖特征序列；設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的主控制器，所述主控制器從所述模式存儲(chǔ)器讀取放電脈沖特征序列，并進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換后輸出；設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的信號(hào)放大器，所述信號(hào)放大器用于將輸出自所述主控制器的信號(hào)放大；設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的放電量校核器，所述放電量校核器用于調(diào)整經(jīng)放大后的信號(hào)的幅值及脈沖寬度；設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的分時(shí)控制器，所述分時(shí)控制器用于控制經(jīng)調(diào)整后的信號(hào)的輸出時(shí)間差；設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的電源模塊，所述電源模塊為所述主控制器供電；設(shè)置于所述絕緣外殼外的一對(duì)電聲轉(zhuǎn)換器，所述放電量校核器將信號(hào)分成兩路經(jīng)所述分時(shí)控制器分別輸出至各電聲轉(zhuǎn)換器。

更具體的，所述主控制器包括內(nèi)部存儲(chǔ)器、ARM處理器和D/A轉(zhuǎn)換器，所述ARM處理器分別與所述內(nèi)部存儲(chǔ)器和所述D/A轉(zhuǎn)換器連接；所述內(nèi)部存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)文件系統(tǒng)，所述ARM處理器與所述模式存儲(chǔ)器連接，從所述模式存儲(chǔ)器讀取放電脈沖特征序列后，由所述D/A轉(zhuǎn)換器進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換后輸出。

更具體的，所述ARM處理器采用德州儀器的OMAP34X0系列處理器。

更具體的，所述內(nèi)部存儲(chǔ)器采用型號(hào)為WS25S022A的存儲(chǔ)器。

更具體的，所述D/A轉(zhuǎn)換器采用型號(hào)為AD9959的直接數(shù)字頻率合成器芯片。

更具體的，所述信號(hào)放大器采用型號(hào)為OPA627的運(yùn)算放大器。

更具體的，所述放電量校核器為脈沖整形電路。

更具體的，所述分時(shí)控制器采用FPGA芯片。

更具體的，所述電聲轉(zhuǎn)換器采用頻率為20kHz～200kHz的電聲換能器。