[實(shí)用新型]超聲放電模式控制裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721826844.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN207636751U
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐明;于文娟;謝小渭;魏略;閆金勝;李朋;申漢革;王媛媛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海長園共創(chuàng)軟件技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R35/00
• 分類號(hào): G01R35/00;G01R1/28
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291
• 代理人: 楊煥軍

1.超聲放電模式控制裝置，其特征在于，包括：

絕緣外殼；

設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的模式存儲(chǔ)器，所述模式存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)不同類型的放電脈沖特征序列；

設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的主控制器，所述主控制器從所述模式存儲(chǔ)器讀取放電脈沖特征序列，并進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換后輸出；

設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的信號(hào)放大器，所述信號(hào)放大器用于將輸出自所述主控制器的信號(hào)放大；

設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的放電量校核器，所述放電量校核器用于調(diào)整經(jīng)放大后的信號(hào)的幅值及脈沖寬度；

設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的分時(shí)控制器，所述分時(shí)控制器用于控制經(jīng)調(diào)整后的信號(hào)的輸出時(shí)間差；

設(shè)置于所述絕緣外殼內(nèi)的電源模塊，所述電源模塊為所述主控制器供電；

設(shè)置于所述絕緣外殼外的一對(duì)電聲轉(zhuǎn)換器，所述放電量校核器將信號(hào)分成兩路經(jīng)所述分時(shí)控制器分別輸出至各電聲轉(zhuǎn)換器。

2.如權(quán)利要求1所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述主控制器包括內(nèi)部存儲(chǔ)器、ARM處理器和D/A轉(zhuǎn)換器，所述ARM處理器分別與所述內(nèi)部存儲(chǔ)器和所述D/A轉(zhuǎn)換器連接；所述內(nèi)部存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)文件系統(tǒng)，所述ARM處理器與所述模式存儲(chǔ)器連接，從所述模式存儲(chǔ)器讀取放電脈沖特征序列后，由所述D/A轉(zhuǎn)換器進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換后輸出。

3.如權(quán)利要求2所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述ARM處理器采用德州儀器的OMAP34X0系列處理器。

4.如權(quán)利要求2所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述內(nèi)部存儲(chǔ)器采用型號(hào)為WS25S022A的存儲(chǔ)器。

5.如權(quán)利要求2所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述D/A轉(zhuǎn)換器采用型號(hào)為AD9959的直接數(shù)字頻率合成器芯片。

6.如權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述信號(hào)放大器采用型號(hào)為OPA627的運(yùn)算放大器。

7.如權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述放電量校核器為脈沖整形電路。

8.如權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述分時(shí)控制器采用FPGA芯片。

9.如權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述電聲轉(zhuǎn)換器采用頻率為20kHz～200kHz的電聲換能器。

10.如權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的超聲放電模式控制裝置，其特征在于：所述主控制器、模式存儲(chǔ)器、信號(hào)放大器、放電量校核器、分時(shí)控制器依次相連，所述分時(shí)控制器與電聲轉(zhuǎn)換器相連。