[實用新型]一種超高壓直流斷路器電力電子支路閥塔結構有效
| 申請號: | 201721812315.1 | 申請日: | 2017-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN207588444U | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發明(設計)人: | 張英成;蔡放;白羽;劉斌 | 申請(專利權)人: | 清華四川能源互聯網研究院 |
| 主分類號: | H02H7/26 | 分類號: | H02H7/26;H02G7/00;H02M7/00 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人: | 項霞 |
| 地址: | 610000 四川省成都市天*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超高壓直流 電力電子 附屬單元 斷路器 塔結構 支路閥 本實用新型 維護和維修 時間檢查 維修平臺 問題出處 問題排查 支撐結構 支撐層 高壓線 閥塔 整合 卸下 便利 檢查 | ||
1.一種超高壓直流斷路器電力電子支路閥塔結構,其特征在于,包括若干層單元、用于支撐層單元的支撐結構、高壓線槽;
所述支撐結構包括若干第一支撐絕緣子、第二支撐絕緣子及設置于各個第二支撐絕緣子之間的安裝橫梁;所有第一支撐絕緣子圍成了一個立方體區域;各個第一支撐絕緣子上方設置有相同數量的第二支撐絕緣子,各個第二支撐絕緣子用安裝橫梁順次連接;所有第二支撐絕緣子圍成一個立方體區域,各層子單元位于第二支撐絕緣子所圍成的立方體區域內,且在垂直方向上順次設置;
所述安裝橫梁包括上法蘭、下法蘭及橫梁,所述橫梁設置在對應層單元的底部,端部固定于上法蘭、下法蘭之間;上法蘭與上面的第二支撐絕緣子連接,下法蘭與下面的第二支撐絕緣子連接;
所述層單元上設置有若干電力電子支路單元、維修平臺;所述電力電子支路單元的結構為; 包括框架組件及設置于框架組件內的兩個PP-IGBT模塊、兩個二極管模塊、2/N個RC緩沖回路模塊、多個控制板單元、框架、多個驅動板、驅動電源;
所述框架組件包括兩個側框及位于兩個側框之間的橫梁,所述側框由頂框及位于頂框下的底框組成,所述橫梁兩端分別固定到一個底框上;頂框位于底框頂上中部位置,長度比底框短;各個模塊設置于框架內;
所述PP-IGBT模塊包括N個PP-IGBT、2N個PP-IGBT散熱器、N+1個絕緣件,其中N為整數;各個PP-IGBT散熱器均勻排列成一行,位于兩端的PP-IGBT散熱器里側設置有絕緣件;從PP-IGBT散熱器列一端到另一端,PP-IGBT與絕緣件間隔設置;PP-IGBT散熱器列的兩端各設置有一個側壓板,且兩個側壓板之間設置有至少一根絕緣拉桿,所述絕緣拉桿與兩個側壓板固定為一體;所述PP-IGBT散熱器列的一端與其鄰近側壓板之間設置有頂栓, 每個PP-IGBT散熱器兩側的PP-IGBT安裝方向相反;
所述二極管模塊包括M個二極管、M+1個二極管散熱器,其中M為整數;各個二極管散熱器均勻排列成一行,位于兩端的二極管散熱器里側設置有二極管,其余每個二極管散熱器兩邊均設置有一個二極管,二極管散熱器列的兩端各設置有一個側壓板,且兩個側壓板之間設置有至少一根絕緣拉桿,所述絕緣拉桿與兩個側壓板固定為一體;所述二極管散熱器列的一端與其鄰近側壓板之間設置有頂栓;
兩個二極管模塊分別沿著橫梁長度方向安裝在底框上端,且分別位于頂框兩端;兩個PP-IGBT模塊沿著橫梁長度方向并排設置于兩個頂框之間;
所述兩個二極管模塊上方分別設置有驅動電源安裝架、驅動板安裝架,分別用于安裝驅動電源、順次排列的驅動板;
所述RC緩沖回路模塊包含若干個電容、若干個電阻,各個電容兩端通過銅母排串聯在一起,各個電容通過銅母排串聯在一起;
所述高壓線槽具有若干根,每根高壓線槽的一端接地,另一端連接到層單元。
2.如權利要求1所述的超高壓直流斷路器電力電子支路閥塔結構,其特征在于,所述高壓線槽位于第一支撐絕緣子所圍成立方體區域內的部分呈S型。
3.如權利要求1所述的超高壓直流斷路器電力電子支路閥塔結構,其特征在于,支撐結構還包括斜拉支撐絕緣子,第一支撐絕緣子所圍成的立方體區域相對兩個側面的相鄰第一支撐絕緣子之間設置有斜拉支撐絕緣子,所述斜拉支撐絕緣子一端連接一個第一支撐絕緣子的頂部,另一端連接另一個第一支撐絕緣子的底部。
4.如權利要求1所述的超高壓直流斷路器電力電子支路閥塔結構,其特征在于,各個電力電子支路單元還設置有第一避雷器,所述第一避雷器與二極管散熱器通過銅母排連接。
5.如權利要求1所述的超高壓直流斷路器電力電子支路閥塔結構,其特征在于,各個層單元還設置有若干第二避雷器,每個電力電子支路單元對應設置有第二避雷器。
6.如權利要求1所述的超高壓直流斷路器電力電子支路閥塔結構,其特征在于,PP-IGBT模塊和/或二極管模塊的絕緣拉桿具有四個,圍成一個立方體區域,PP-IGBT模塊和/或二極管模塊位于該立方體區域內。
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