[實用新型]防水罩和晶圓處理裝置

有效

• 申請號: 201721804707.3
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN207672153U
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 孫飛;胡平;楊福全
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: C30B25/08
• 分類號: C30B25/08;C30B29/06
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

一種防水罩和一種晶圓處置裝置，所述防水罩用于放置于晶圓處理腔室上方，所述晶圓處理腔室頂部具有一窺視孔，所述晶圓處理腔室上方具有一紅外測溫儀，所述紅外測溫儀用于向晶圓處理腔室內發射紅外光，形成一垂直于窺視孔的光路，所述防水罩包括：豎直水擋，豎直水擋中部漏空，用于放置于所述窺視孔的四周，使所述窺視孔位于所述豎直水擋的漏空處底部；橫向水擋，所述橫向水擋包括傾斜部和水平部，所述橫向水擋固定于所述豎直水擋中部漏空處頂部，當所述防水罩放置于所述晶圓處理腔室上方時，所述橫向水擋遮蓋所述窺視孔，所述傾斜部與所述光路位置相對應，所述傾斜部為透明結構。這種防水罩能夠阻止水滴濺入窺視孔，提升晶圓處理效率和質量。

技術領域

本實用新型涉及氣相化學外延設備領域，尤其涉及一種防水罩和晶圓處理裝置。

背景技術

硅外延通常是通過氣相化學沉積的方式，在硅拋光片的表面生長一層指定膜厚與電阻率的硅單晶層。在石英質平板式反應腔體中，硅片貼附在基座表面，與外延反應氣體，在高溫下發生化學反應。反應期間需要監控反應過程中的反應溫度，采用固定式紅外測溫儀，透過反應腔體的窺視孔，采集反應腔體內硅片的溫度實現。

在反應期間，反應腔體浸泡于水槽內，反應腔體周圍布有循環水，循環水采用頂部灑水、底部出水的方式。在頂部灑水的過程中，由于水量控制不均的問題，容易在灑水過程中，有水滴濺射進入窺視孔，從而擋住測溫儀的光路，使入射光發生折射，使監控到的溫度信息不準確。而溫度是氣相化學沉積過程中的重要控制指標，如果溫度稍有偏差，最終將會導致硅片外延層的厚度降低，影響其品質。

現今，為避免水滴濺射進入窺視孔，請參考圖1，為現有技術的晶圓處理裝置的俯視圖，在反應腔體制備時，在窺視孔101四周加裝豎直水擋102，同時豎直水擋102采用不規則造型，將可能濺射入水的區域做加高處理。然而在實際應用中，由于灑水盤的堵塞或流量變動，會導致個別噴水孔水流異常，濺射的水花很容易越過豎直水擋102進入窺視孔101，使其功效減弱。同時，由于豎直型的水擋設計，在實際石英加工過程中非常困難，也使得當前技術轉型較難。

因此，需要提供一種防水罩，避免水滴濺入窺視孔內，使測溫儀能夠正常通過窺視孔測量溫度。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種防水罩和一種晶圓處理裝置。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種防水罩，用于放置于晶圓處理腔室上方，所述晶圓處理腔室頂部具有一窺視孔，所述晶圓處理腔室上方具有一紅外測溫儀，所述紅外測溫儀用于向所述晶圓處理腔室內發射紅外光，形成一垂直于所述窺視孔的光路，光路所述防水罩包括：豎直水擋，所述豎直水擋中部漏空，用于放置于所述窺視孔的四周，使所述窺視孔位于所述豎直水擋的漏空處底部；橫向水擋，所述橫向水擋包括傾斜部和水平部，所述橫向水擋固定于所述豎直水擋漏空處頂部，當所述防水罩放置于所述晶圓處理腔室上方時，所述橫向水擋遮蓋所述窺視孔，所述傾斜部與所述光路位置相對應，所述傾斜部為透明結構。

可選的，所述橫向水擋的材料為石英。

可選的，所述橫向水擋包括：一個傾斜部和兩個水平部，所述傾斜部銜接兩個水平部。

可選的，所述傾斜部與所述水平部的夾角為120度至150度。

可選的，所述防水罩為一體成型結構或者所述豎直水擋與橫向水擋為分體結構且相互之間固定連接。

本發明還提供一種晶圓處理裝置，包括：晶圓處理腔室，所述晶圓處理腔室頂部具有一窺視孔；紅外測溫儀，用于向所述晶圓處理腔室內發射紅外光，形成一垂直于所述窺視孔的光路；防水罩，所述防水罩包括豎直水擋和橫向水擋，放置于所述晶圓處理腔室上方，所述豎直水擋位于所述窺視孔四周邊緣，所述豎直水擋中部漏空，所述窺視孔位于所述豎直水擋的漏空處底部，所述橫向水擋固定于所述豎直水擋漏空處頂部，所述橫向水擋遮蓋所述窺視孔；所述橫向水擋包括傾斜部和水平部，所述傾斜部與所述光路位置相對應，所述傾斜部為透明結構。