[實(shí)用新型]一種晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721796767.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207542214U | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃雷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山成功環(huán)??萍加邢薰?/a> |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232 | 代理人: | 黃珩 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓 干燥裝置 連續(xù)清洗 清洗室 干燥室 種晶 清洗 本實(shí)用新型 干燥工序 晶圓清洗 連續(xù)傳送 生產(chǎn)效率 循環(huán)運(yùn)動(dòng) 移動(dòng)位置 移位 生產(chǎn)成本 搬運(yùn) 穿越 中斷 一體化 | ||
本實(shí)用新型涉及了一種晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置,其包括:清洗室,用于對(duì)晶圓進(jìn)行清洗;干燥室,用于對(duì)晶圓進(jìn)行干燥,且設(shè)置在清洗室的下游;晶圓連續(xù)傳送機(jī)構(gòu),其穿越清洗室及干燥室且做循環(huán)運(yùn)動(dòng)。這樣一來(lái),該晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置實(shí)現(xiàn)了晶圓清洗、干燥一體化,不但避免了由于晶圓移動(dòng)位置造成的清洗、干燥工序中斷,且避免了工序間晶圓搬運(yùn)、移位,從而提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置。
背景技術(shù)
在集成電路制造領(lǐng)域,在某些工藝步驟之后,通常會(huì)在晶圓表面留下污染物,這些污染物對(duì)產(chǎn)品后續(xù)工藝的影響非常大。因此,在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中,最頻繁的工藝步驟就是晶圓清洗。晶圓清洗完成之后,重新放入到干燥機(jī)進(jìn)行干燥,從而造成了清洗、干燥工序中斷,間隔時(shí)間長(zhǎng),生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,功能可靠,其使得晶圓進(jìn)行清洗和干燥過(guò)程連續(xù)的晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型涉及了一種晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置,其包括:
清洗室,用于對(duì)晶圓進(jìn)行清洗;
干燥室,用于對(duì)晶圓進(jìn)行干燥,且設(shè)置在清洗室的下游;
晶圓連續(xù)傳送機(jī)構(gòu),其穿越清洗室及干燥室且做循環(huán)運(yùn)動(dòng)。
本晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置能實(shí)現(xiàn)晶圓清洗、干燥一體化,不但避免了由于晶圓移動(dòng)位置造成的清洗、干燥工序中斷,且避免了工序間晶圓搬運(yùn)、移位,從而提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),清洗室數(shù)量設(shè)置為多個(gè),其中包括按順序依次布置的至少一個(gè)有機(jī)物清洗室,至少一個(gè)無(wú)機(jī)物清洗室,至少一個(gè)去離子水清洗室。
晶圓表面存在有多種不同污染物,如有機(jī)物、無(wú)機(jī)物等,僅僅通過(guò)一種清洗液的清洗裝置難以做到全面清洗,為了避免上述情況發(fā)生,本晶圓連續(xù)清洗、干燥裝置中設(shè)置多個(gè)噴射不同清洗液的清洗室,依序排列。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),在干燥室的頂部和底部均設(shè)置有噴氣單元。氣體通過(guò)噴氣單元噴向晶圓。
通過(guò)在干燥室的頂部和底部設(shè)置噴氣單元的方式,使得晶圓的正反面均得到干燥,減少了晶圓翻身工序。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),噴氣單元包括加熱裝置,用于對(duì)所述氣體進(jìn)行加熱。
通過(guò)加熱裝置對(duì)氣體進(jìn)行加熱,使得其具有更高的分子動(dòng)能,從而提高晶圓的干燥速度。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),氣體溫度設(shè)置在50~60℃之間。
氣體溫度設(shè)置在50~60℃之間,既提高了晶圓干燥速度,又不會(huì)使得晶圓熱變形量過(guò)大,影響產(chǎn)品質(zhì)量。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),氣體為惰性氣體。
氣體采用惰性氣體,可有效地防止晶圓出現(xiàn)氧化,影響產(chǎn)品質(zhì)量的現(xiàn)象發(fā)生。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),惰性氣體為氮?dú)狻?/p>
氮?dú)獾幕瘜W(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,使得晶圓在其氛圍不易發(fā)生氧化現(xiàn)象,且氮?dú)鈨r(jià)格低廉,從而降低了晶圓干燥的生產(chǎn)成本。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),干燥室的側(cè)壁上設(shè)置有溫度傳感器。
溫度傳感器可實(shí)時(shí)地對(duì)干燥室腔體內(nèi)溫度進(jìn)行檢測(cè),當(dāng)溫度超過(guò)警戒值時(shí),可及時(shí)進(jìn)行人工干涉,防止腔內(nèi)溫度過(guò)高,晶圓出現(xiàn)過(guò)燒現(xiàn)象。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述溫度傳感器通過(guò)控制器與所述加熱裝置相連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





