[實用新型]一種晶圓連續清洗、干燥裝置有效
| 申請號： | 201721796767.5 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN207542214U | 公開（公告）日： | 2018-06-26 |
| 發明（設計）人： | 黃雷 | 申請（專利權）人： | 昆山成功環保科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人： | 黃珩 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 干燥裝置 連續清洗 清洗室 干燥室 種晶 清洗 本實用新型 干燥工序 晶圓清洗 連續傳送 生產效率 循環運動 移動位置 移位 生產成本 搬運 穿越 中斷 一體化 | ||
1.一種晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，包括：
清洗室，用于對晶圓進行清洗；
干燥室，用于對晶圓進行干燥，且設置在所述清洗室的下游；
晶圓連續傳送機構，其穿越所述清洗室及所述干燥室且做循環運動。
2.根據權利要求1中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，所述清洗室數量設置為多個，其中包括按順序依次布置的至少一個有機物清洗室，至少一個無機物清洗室，至少一個去離子水清洗室。
3.根據權利要求1中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，在所述干燥室的頂部和底部均設置有噴氣單元；氣體通過所述噴氣單元噴向晶圓。
4.根據權利要求3中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，所述噴氣單元包括加熱裝置，用于對所述氣體進行加熱。
5.根據權利要求4中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，所述氣體溫度設置在50～60℃之間。
6.根據權利要求4中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，所述氣體為惰性氣體。
7.根據權利要求6中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，所述惰性氣體為氮氣。
8.根據權利要求4中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，所述干燥室的側壁上設置有溫度傳感器。
9.根據權利要求8中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，所述溫度傳感器通過控制器與所述加熱裝置相連。
10.根據權利要求4中所述的晶圓連續清洗、干燥裝置，其特征在于，在所述干燥室的下游設置有冷卻室。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
