[實用新型]一種晶圓連續清洗裝置有效
| 申請號: | 201721796766.0 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN207651456U | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發明(設計)人: | 黃雷 | 申請(專利權)人: | 昆山成功環保科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;B08B3/02;B08B3/10;B08B3/14;B08B1/02 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人: | 黃珩 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗噴頭 清洗室 晶圓 連續清洗裝置 連續傳送 清洗裝置 種晶 清洗 本實用新型 傳統單片 供液裝置 清洗模式 清洗效率 循環運動 清洗液 穿越 節約 | ||
本實用新型涉及了一種晶圓連續清洗裝置,其包括:設有清洗裝置的清洗室;清洗裝置包括清洗噴頭,清洗噴頭設置在清洗室的頂部和底部,清洗噴頭與供液裝置通過管路相連;晶圓連續傳送機構,其穿越清洗室并循環運動。將晶圓放置在晶圓連續傳送機構上,并通過清洗室頂部和底部設置的清洗噴頭進行清洗,這樣一來,改變了傳統單片清洗模式,晶圓可以進行批量、集中清洗,不但提高了清洗效率,且在一定程度上節約了清洗液的使用量。
技術領域
本實用新型涉及晶圓加工技術領域,尤其涉及一種晶圓連續清洗裝置。
背景技術
在集成電路制造領域,在某些工藝步驟之后,通常會在晶圓表面留下污染物,這些污染物對產品后續工藝的影響非常大。因此,在半導體器件制造過程中,最頻繁的工藝步驟就是晶圓清洗,以去除附著在晶圓表面的污染物。目前,晶圓的清洗通常采用旋轉型機臺來完成,在晶圓旋轉的同時,從晶圓上方將去離子水排放到晶圓上,晶圓上污染物不易被清除徹底,特別是顆粒物,且為單片式清洗制程,清洗效率低。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足,提供一種功能可靠,且能使晶圓連續清洗的晶圓連續清洗裝置。該晶圓連續清洗裝置包括:
設有清洗裝置的清洗室;
清洗裝置包括清洗噴頭,清洗噴頭設置在清洗室的頂部和底部,清洗噴頭與供液裝置通過管路相連;
晶圓連續傳送機構,其穿越清洗室并循環運動。
將晶圓放置在晶圓連續傳送機構上,并通過清洗室頂部和底部設置的清洗噴頭進行清洗,這樣一來,改變了傳統單片清洗模式,晶圓可以進行批量、集中清洗,不但提高了清洗效率,且在一定程度上節約了清洗液的使用量。
作為本實用新型的進一步改進,晶圓連續傳送機構包括機架,以及設置在機架上同步轉動的傳送托輥。
晶圓連續傳送機構由機架及其上設置的同步轉動的傳送托輥等組成,晶圓傳送可靠,且結構形式簡單,制作成本低。
作為本實用新型的進一步改進,各傳送托輥的軸端部設置有齒輪,各齒輪通過鏈條驅動。
齒輪、鏈條相配合驅動形式結構簡單,傳動可靠,且便于進行故障診斷及解決。
作為本實用新型的進一步改進,晶圓連續清洗裝置還包括有擦拭裝置,擦拭裝置包括上擦拭托輥和下擦拭托輥,下擦拭托輥稍低于傳送托輥,上擦拭托輥對應的布置在下擦拭托輥的正上方,兩者形成的間隙稍小于晶圓厚度,擦拭托輥上包裹有彈性透水性材料。
通過清洗噴頭將清洗液噴射到晶圓上,可以將晶圓表面大部分污染物清除,但依然會存在一些頑固污漬。在原來基礎上,增設了擦拭托輥,且上、下擦拭托輥形成的間隙稍小于晶圓厚度,可以使得擦拭托輥上包裹的彈性透水性材料緊壓在晶圓表面上,提高顆粒物去除能力,清洗效果大大增強。
作為本實用新型的進一步改進,彈性透水性材料為海綿。
作為本實用新型的進一步改進,擦拭裝置包括有多組上擦拭托輥和下擦拭托輥。
多組上擦拭托輥和下擦拭托輥相互配合,可以多次對晶圓表面進行加壓擦拭,保證清洗效果。
作為本實用新型的進一步改進,供液裝置的管路上設置有加熱裝置。
通過加熱裝置對清洗液進行加熱,使得其具有更高的分子動能,可以有效破壞污染物與晶圓表面的粘附性,加大清洗的力度,提高顆粒物去除效率,達到極佳的清洗效果。
作為本實用新型的進一步改進,晶圓連續清洗裝置還包括廢液收集裝置及廢液處理裝置。
晶圓清洗過程中會產生大量廢液,如不經處理直接排放,會對環境造成極其嚴重的污染。通過設置的廢液收集裝置對廢液進行收集,而后通過廢液處理裝置進行處理,從而避免了上述污染情況的發生。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山成功環保科技有限公司,未經昆山成功環保科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721796766.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種用于引線框架單面銀層表面處理的裝置
- 下一篇:一種晶圓熱處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





