[實用新型]一種舟片間距漸變新型石墨舟有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721791009.4 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN207690774U | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 邱江南;王立富;李超;劉慶平;聶世武;鄒臻峰 | 申請(專利權(quán))人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 南昌恒橋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 36125 | 代理人: | 楊志宇 |
| 地址: | 334000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 舟片 新型石墨 本實用新型 逐漸變大 漸變 通孔 鍍膜均勻性 不均勻性 電場分布 鍍膜工藝 熱場分布 生產(chǎn)效率 逐漸變小 電場 鍍膜 管式 熱場 射頻 沉積 | ||
本實用新型公開了一種舟片間距漸變新型石墨舟,包括第一組舟片、中間舟片和第二組舟片,所述第一組舟片設(shè)置于中間舟片頂部以及第二組舟片設(shè)置于中間舟片底部,其特征在于:所述第一組舟片、中間舟片和第二組舟片上設(shè)有第一通孔,所述第一組舟片、中間舟片和第二組舟片兩側(cè)設(shè)有第二通孔。本實用新型由于新型石墨舟舟片間距由外側(cè)舟片到中間舟片逐漸變小,因此射頻鍍膜時對應(yīng)的電場強(qiáng)度由外側(cè)舟片到中間舟片逐漸變大,這種電場由外到內(nèi)逐漸變大的電場分布正好補(bǔ)償了管式PECVD熱場由外到內(nèi)逐漸變小的分布,使得舟內(nèi)鍍膜均勻性極大程度提高并且可以補(bǔ)償熱場分布的不均勻性,因此沉積鍍膜工藝的升溫穩(wěn)定時間可一定幅度減少,對應(yīng)的生產(chǎn)效率變大。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及晶硅太陽能電池領(lǐng)域,特別涉及一種舟片間距漸變新型石墨舟。
背景技術(shù)
太陽能電池作為一種光學(xué)器件用于將太陽能轉(zhuǎn)化為電能,在制造太陽能電池工藝過程需要沉積減反射薄膜膜層利于電池可以吸收更多的光子。目前管式PECVD沉積鍍膜方式因其反應(yīng)溫度低、膜質(zhì)量好在行業(yè)內(nèi)被普遍推廣應(yīng)用。墨舟是太陽能電池管式PECVD鍍膜的載體,其舟片通常為21片,舟片間距通常為10mm或12mm,而且整舟正片間距保持一致。
固定一致的舟片間距使得鍍膜時舟內(nèi)的電場強(qiáng)度一致,而管式PECVD的加熱方式為由舟片外部向內(nèi)部以熱輻射的方式進(jìn)行,這樣導(dǎo)致了熱場的不均勻,造成了中間舟片鍍膜膜厚薄、折射率低,外側(cè)舟片鍍膜膜厚厚、折射率高,舟內(nèi)鍍膜均勻性差。對于小管徑爐管,舟內(nèi)均勻性差體現(xiàn)的更為嚴(yán)重。為改善此問題,目前通常增加鍍膜前的升溫穩(wěn)定時間來解決,但很大程度上限制了生產(chǎn)效率。
因此,發(fā)明一種舟片間距漸變新型石墨舟來解決上述問題很有必要。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種舟片間距漸變新型石墨舟,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:一種舟片間距漸變新型石墨舟,包括第一組舟片、中間舟片和第二組舟片,所述第一組舟片設(shè)置于中間舟片頂部以及第二組舟片設(shè)置于中間舟片底部,其特征在于:所述第一組舟片、中間舟片和第二組舟片上設(shè)有第一通孔,所述第一組舟片、中間舟片和第二組舟片兩側(cè)設(shè)有第二通孔,所述第一組舟片包括頂部舟片和第一石墨舟片,所述第二組舟片包括底部舟片和第二石墨舟片,所述頂部舟片和第一石墨舟片之間設(shè)有第一陶瓷圈,所述第一石墨舟片和第二石墨舟片與中間舟片之間設(shè)有第二陶瓷圈,所述底部舟片和第二石墨舟片之間設(shè)有第三陶瓷圈,所述第一陶瓷圈、第二陶瓷圈和第三陶瓷圈內(nèi)部設(shè)有第一陶瓷棒,所述第一陶瓷棒與第二通孔活動卡接,所述第一組舟片、中間舟片和第二組舟片兩側(cè)設(shè)有石墨塊,所述石墨塊上設(shè)有開孔,所述開孔內(nèi)設(shè)有第二陶瓷棒,所述第一陶瓷棒和第二陶瓷棒兩端均設(shè)有石墨螺母。
優(yōu)選的,所述第二通孔與開孔相對應(yīng)。
優(yōu)選的,所述第一石墨舟片和第二石墨舟片數(shù)量均設(shè)置為十個,所述第一陶瓷圈和第三陶瓷圈均設(shè)置為十個,所述第二陶瓷圈設(shè)置為兩個。
優(yōu)選的,十個所述第一陶瓷圈由上到下厚度依次減小,十個所述第三陶瓷圈由下到上厚度依次減小,所述第一陶瓷圈和第三陶瓷圈對稱設(shè)置且對稱設(shè)置的第一陶瓷圈和第三陶瓷圈厚度相同。
優(yōu)選的,所述石墨塊設(shè)置與第一陶瓷圈、第二陶瓷圈和第三陶瓷圈對應(yīng)設(shè)置且厚度相同。
優(yōu)選的,所述第一陶瓷圈、第二陶瓷圈和第三陶瓷圈上均設(shè)有編碼。
本實用新型的技術(shù)效果和優(yōu)點:由于新型石墨舟舟片間距由外側(cè)舟片到中間舟片逐漸變小,因此射頻鍍膜時對應(yīng)的電場強(qiáng)度由外側(cè)舟片到中間舟片逐漸變大,這種電場由外到內(nèi)逐漸變大的電場分布正好補(bǔ)償了管式PECVD熱場由外到內(nèi)逐漸變小的分布,使得舟內(nèi)鍍膜均勻性極大程度提高;由外到內(nèi)逐漸變大的電場分布可以補(bǔ)償熱場分布的不均勻性,因此沉積鍍膜工藝的升溫穩(wěn)定時間可一定幅度減少,對應(yīng)的生產(chǎn)效率變大;另外編碼的設(shè)置使陶瓷圈的安放快速精準(zhǔn),固定牢固。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





