[實(shí)用新型]一種可控線性蒸發(fā)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721745217.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207713807U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張擷秋;崔駿;劉壯;楊世航;陳旺壽;李霖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | C23C14/24 | 分類號(hào): | C23C14/24;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司: | 北京市誠(chéng)輝律師事務(wù)所 11430 | 代理人: | 封明艷 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 可控 坩堝 線性蒸發(fā)源 蒸發(fā)裝置 蒸發(fā) 導(dǎo)管 本實(shí)用新型 導(dǎo)管加熱器 坩堝加熱器 材料氣體 改變材料 溫度工藝 蒸發(fā)鍍膜 可控性 閥門 消耗 節(jié)約 | ||
本實(shí)用新型涉及一種可控線性蒸發(fā)裝置,該可控線性蒸發(fā)源包括坩堝、坩堝加熱器、導(dǎo)管、導(dǎo)管加熱器,所述坩堝和所述導(dǎo)管構(gòu)成線性蒸發(fā)源,在所述導(dǎo)管和所述坩堝之間設(shè)置可控性閥門,來(lái)控制所述坩堝內(nèi)材料氣體的壓力,進(jìn)而在較短時(shí)間內(nèi)改變材料氣體的瞬間蒸發(fā)速率。采用該可控線性蒸發(fā)裝置進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜時(shí),可以更準(zhǔn)確地控制平均蒸發(fā)速率,擴(kuò)大蒸發(fā)速率的調(diào)節(jié)區(qū)間,提高線性蒸發(fā)源的瞬間蒸發(fā)速率,同時(shí)在改變溫度工藝時(shí)節(jié)約原料的消耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及蒸發(fā)鍍膜技術(shù),尤其涉及一種可控線性蒸發(fā)裝置。
背景技術(shù)
蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是目前常用的一種真空鍍膜技術(shù),其特點(diǎn)是在真空中將材料(可以是無(wú)機(jī)材料,也可以是有機(jī)材料)加熱蒸發(fā),形成氣態(tài),沉積到基板上,這種技術(shù)可以在耗費(fèi)較少材料的前提下獲得高質(zhì)量的薄膜,目前蒸發(fā)鍍膜技術(shù)多用于太陽(yáng)能電池的制備、OLED的制備等行業(yè),應(yīng)用前景十分廣泛。
目前,蒸發(fā)鍍膜的工藝分為點(diǎn)蒸發(fā)和線性蒸發(fā)兩種。點(diǎn)蒸發(fā)是將待蒸發(fā)材料置于點(diǎn)狀蒸發(fā)源中間,使用時(shí),通過(guò)加熱絲使材料蒸發(fā),沉積到基板上,因?yàn)檎舭l(fā)面積相對(duì)較小,稱為點(diǎn)蒸發(fā)源;線性蒸發(fā)重新設(shè)計(jì)了蒸發(fā)源結(jié)構(gòu),通常分為坩堝和線性蒸發(fā)噴管,將待蒸發(fā)材料置于坩堝中,坩堝外側(cè)有加熱絲對(duì)其進(jìn)行加熱,材料轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)從坩堝進(jìn)入蒸發(fā)噴管,噴管上有多個(gè)蒸發(fā)噴孔或者線性噴孔,蒸氣從噴孔噴出沉積到基板上,因?yàn)檎魵庠唇朴诰€性,所以稱之為線性蒸發(fā)源,可以實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)。
點(diǎn)狀蒸發(fā)源普遍用于小型實(shí)驗(yàn)室設(shè)備,或者把多個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源按照一定距離排列,用于實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn),但多個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的生產(chǎn)效率不高,并且較難同時(shí)控制蒸發(fā)速率和溫度,工藝的可控性差,也不利于加載蒸發(fā)原料。
線性蒸發(fā)彌補(bǔ)了點(diǎn)蒸發(fā)源的缺點(diǎn),用一個(gè)大面積的線性蒸發(fā)代替了多個(gè)獨(dú)立的點(diǎn)蒸發(fā)源,但是目前的線性蒸發(fā)源為了沉積大面積薄膜,通常在坩堝的上部添加導(dǎo)管對(duì)蒸汽進(jìn)行引導(dǎo),導(dǎo)管的外側(cè)分布有加熱絲,用來(lái)維持導(dǎo)管內(nèi)溫度,保持材料在氣相狀態(tài),導(dǎo)管側(cè)面分布有一定數(shù)量的蒸發(fā)孔,用來(lái)引導(dǎo)材料氣體噴出,沉積到蒸發(fā)孔正對(duì)的基板上。和點(diǎn)蒸發(fā)源類似,線性蒸發(fā)源也通過(guò)改變溫度來(lái)改變飽和蒸汽壓來(lái)調(diào)控蒸發(fā)速率,由于蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)較大,溫度的調(diào)節(jié)是一個(gè)緩慢的過(guò)程,升溫或降溫的過(guò)程材料仍然在不停的被消耗,因此既浪費(fèi)時(shí)間也浪費(fèi)原料。在生產(chǎn)過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)工藝參數(shù)需要調(diào)節(jié),不能立即調(diào)整蒸發(fā)速率會(huì)導(dǎo)致樣品不良率增加,并且降低生產(chǎn)效率,除此之外,更高的溫度需要設(shè)備對(duì)線性蒸發(fā)源以及溫度屏蔽系統(tǒng)的材料有更高的要求,增加了設(shè)備本身的成本。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)以上問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種可控線性蒸發(fā)裝置,旨在改進(jìn)原有線性蒸發(fā)源,提高線性蒸發(fā)源的瞬間蒸發(fā)速率,節(jié)省設(shè)備的能耗,同時(shí)在改變溫度工藝時(shí)節(jié)約原料的消耗。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種可控線性蒸發(fā)裝置,包括坩堝、坩堝加熱器、導(dǎo)管、導(dǎo)管加熱器,其中,所述坩堝和所述導(dǎo)管相連接構(gòu)成線性蒸發(fā)源,在所述導(dǎo)管和所述坩堝之間設(shè)置閥門。
所述閥門為可控性閥門,通過(guò)閥門開(kāi)關(guān),來(lái)控制所述坩堝內(nèi)材料氣體的壓力,進(jìn)而在較短時(shí)間內(nèi)改變材料氣體的瞬間蒸發(fā)速率。
所述裝置還包括控制系統(tǒng),所述控制系統(tǒng)包括手動(dòng)模式和自動(dòng)模式,該控制系統(tǒng)用來(lái)控制所述閥門的開(kāi)關(guān)。手動(dòng)模式即人為控制閥門的開(kāi)啟和關(guān)閉。自動(dòng)模式為設(shè)置閥門每次開(kāi)啟的時(shí)間和關(guān)閉的時(shí)間進(jìn)行自動(dòng)開(kāi)啟和關(guān)閉。
所述的控制系統(tǒng)由電腦控制,所述閥門開(kāi)啟程度在0—100%之間選擇可調(diào)。
所述閥門的外部設(shè)置閥門加熱系統(tǒng),用來(lái)防止材料氣體在通過(guò)閥門由于壓差變化等造成的冷凝。所述加熱系統(tǒng)為鎧裝加熱管、金屬加熱絲或片、石墨加熱器、感應(yīng)加熱器等。
所述線性蒸發(fā)源外層設(shè)置屏蔽層,用以保證蒸發(fā)源內(nèi)部熱量較少流失,也用以隔絕外部溫度,避免對(duì)蒸發(fā)源進(jìn)行干擾。
坩堝和導(dǎo)管的材料選取應(yīng)根據(jù)加熱材料而定,以保證其不與加熱材料反應(yīng)。所述坩堝為石墨坩堝、石英坩堝、氮化硼坩堝或氧化鋁坩堝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳先進(jìn)技術(shù)研究院,未經(jīng)深圳先進(jìn)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721745217.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





