[實用新型]硅片退火用托盤機構有效
| 申請號: | 201721743756.0 | 申請日: | 2017-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN207542198U | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發明(設計)人: | 蔣新;劉濤;陳國才;竇福存 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶洲裝備科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/324;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 蘇州根號專利代理事務所(普通合伙) 32276 | 代理人: | 項麗 |
| 地址: | 215500 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 退火 托盤 導電板 本實用新型 托盤機構 導電柱 定位板 空腔 云母 金屬導電板 接觸導通 使用壽命 通電處理 內固定 下層 | ||
本實用新型公開了一種硅片退火用托盤機構,包括若干個摞放在一起的托盤,所述托盤包括云母制成的硅片定位板,硅片定位板限定出用于存放硅片的空腔,在所述空腔內固定有第一導電板,在金屬導電板的底部固定連接有導電柱,所述導電柱的另一端固定連接有第二導電板,所述第二導電板用于與下層托盤中的硅片接觸導通。本實用新型能夠在硅片退火的同時,對硅片進行通電處理,提高退火效果,進一步提高硅片的性能,并且延長硅片使用壽命。
技術領域
本實用新型涉及硅片加工技術領域,具體涉及一硅片退火用的托盤機構。
背景技術
硅片中含有氧,氧有吸取雜質的作用,對硅片進行退火處理,能夠促進存留于硅中的氧向外擴散,在硅片表面形成低氧環境(潔凈區),從而減少甚至能夠消除由氧造成的晶體缺陷,有利于后期器件制造,另外,硅片退火能夠對其電阻率及少子壽命造成影響。
目前發現在硅片退火過程中,如保持其處于通電狀態,能夠使得硅片的退火效果更好,具備更優越的性能,但目前還沒有硅片退火設備對此制造出相應的裝置,因此急需一種硅片退火設備來解決這一問題。
發明內容
本實用新型目的在于提供一種硅片退火用托盤機構,其能夠在硅片退火的同時,對硅片進行通電處理,提高退火效果,進一步提高硅片的性能,并且延長硅片使用壽命。
為了解決現有技術中的這些問題,本實用新型提供的技術方案是:
一種硅片退火用托盤機構,包括若干個摞放在一起的托盤,所述托盤包括云母制成的硅片定位板,硅片定位板限定出用于存放硅片的空腔,在所述空腔內固定有第一導電板,在金屬導電板的底部固定連接有導電柱,所述導電柱的另一端固定連接有第二導電板,所述第二導電板用于與下層托盤中的硅片接觸導通。
對于上述技術方案,發明人還有進一步的優化措施。
進一步地,所述導電柱包括襯套、連接銷以及彈簧,所述襯套固定在所述第一導電板的下方,所述連接銷與所述襯套滑動配合,所述連接銷的底端固定連接第二導電板,用來提供張緊力的所述彈簧套接在所述連接銷外側。
進一步地,所述托盤中設有多個獨立的用于存放硅片的空腔,每個空腔旁的硅片定位板上開有上下貫穿的通孔,位于底部的托盤的通孔內具有與相鄰空腔內的第一導電板電連接的導電金屬構成導電孔,所述托盤機構還包括多個電極連接桿,每個所述電極連接桿豎直穿過所述若干個上層托盤上的通孔并最終插在所述導電孔內,其中,每一所述電極連接桿與所述底部托盤中一個空腔內的第一導電板電連接,構成獨立的通電回路。
更進一步地,位于頂部的所述上層托盤中的硅片與外部電連接,各托盤上對應空腔內的硅片、第一導電板、導電柱、第二導電板以及電極連接桿構成獨立的通電回路。
進一步地,所述托盤包括底部托盤和摞放在所述底部托盤上的若干個上層托盤,所述底部托盤的下方為平整的平板基座,所述底部托盤的四角設置有插孔,所述上層托盤的下方對應于所述插孔的位置設置有可插入插孔的定位柱,且所述上層托盤的上方四角同樣設置有插孔。
更進一步地,所述托盤機構還包括工件蓋板,所述工件蓋板蓋壓在位于頂層的托盤內的硅片上。
相比于現有技術中的解決方案,本實用新型優點是:
本實用新型通過各層托盤上的導電板將層與層之間所放置的硅片串聯起來,再結合與最底部托盤導電板連通的電極連接桿,構成與外界電源導通的通電回路,能夠使得硅片的退火同時保持其通電狀態,進而提高硅片退火效果,提升硅片性能,提高產品競爭力。
另外,上層托盤底部所設置的導電柱及第二導電板能夠緊密串聯相鄰兩層托盤上的硅片,提高連接可靠性,且能夠適用于不同數量、不同厚度的硅片,適應調整性強。
附圖說明
下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





