[實用新型]一種隔離閥裝置

有效

• 申請號: 201721731976.1
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN207775344U
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 李國強;林宗賢;吳孝哲
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C16/44
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種隔離閥裝置，包括面密封板、執行機構及氣缸，氣缸提供執行機構的動力，執行機構及氣缸之間設有密封圈，面密封板固定于執行機構的端部，隔離閥裝置還包括：密封箱，密封箱套設于執行機構，密封箱的底部與氣缸氣密連接，頂部與執行機構氣密連接并與執行機構同步移動，且密封圈顯露于密封箱內；本實用新型隔離閥裝置通過密封箱對氣缸內驅動氣體進行二次密封，降低氣缸內驅動氣體泄漏進氣相沉積設備腔體中的概率，從而減小工藝異常的問題；通過測試設備對氣缸內泄露的驅動氣體進行量化；通過報警設備直觀的提醒工作人員異常情況，從而及時提醒工作人員采取措施，解決資源浪費的問題。

技術領域

本實用新型屬于半導體加工設備領域，涉及一種隔離閥裝置。

背景技術

氣相沉積技術是在氣相中發生物理、化學反應的過程，在工件表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物涂層。

半導體薄膜制造工藝中使用最為廣泛的制造技術包括物理氣相沉積技術(Physical Vapor Deposition，PVD)及化學氣相沉積技術(Chemical Vapor Deposition，CVD)。其中，化學氣相沉積是將基片置于工藝腔中，抽真空并加熱至900～1100℃，根據工藝需求在工藝腔內通入氣體并與金屬發生反應產生化合物，而后沉積在基片上表面。物理氣相沉積是通過蒸發，電離或濺射等過程，產生金屬粒子并與反應氣體反應形成化合物沉積在基片表面。

現有的氣相沉積設備一般包括傳送腔、緩沖腔及工藝腔。所述腔體之間設置有通道，以便于晶圓的傳輸。因此，氣相沉積設備所述腔體中設置有隔離閥，所述隔離閥控制所述通道的開與關的狀態，從而控制所述腔體的連通狀態。

圖1顯示為現有技術中的一種隔離閥裝置的結構示意圖。所述隔離閥裝置包括面密封板100、執行機構200及氣缸300。所述執行機構200連接所述面密封板100及所述氣缸300，所述氣缸內具有驅動氣體，所述執行機構200通過所述氣缸300內的驅動氣體驅動其進行移動，從而控制所述面密封板100的移動。所述面密封板100隨所述執行機構200的移動控制所述通道的開關狀態。由于所述氣缸內具有驅動氣體，因此，所述執行機構200與所述氣缸300之間連接有密封圈(未圖示)，用以對所述氣缸300內的驅動氣體進行密封?，F有的氣相沉積設備中所述緩沖腔一般包括7個所述隔離閥裝置，而所述傳送腔一般也包括8個所述隔離閥裝置。

因此，實際生產中，由于隔離閥裝置中的密封圈的老化、磨損等原因，常常會導致氣缸內的驅動氣體泄漏進腔體中，最終造成工藝異常的問題。

基于以上所述，提供一種可有效預防氣缸內驅動氣體泄漏的隔離閥裝置實屬必要。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種隔離閥裝置，用于解決現有技術中的隔離閥裝置中的密封圈老化、磨損所造成的氣缸內驅動氣體泄漏進腔體中，最終造成工藝異常的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種隔離閥裝置，包括面密封板、執行機構及氣缸，所述氣缸提供所述執行機構的動力，所述執行機構及所述氣缸之間設有密封圈，所述面密封板固定于所述執行機構的端部，所述隔離閥裝置還包括：

密封箱，所述密封箱套設于所述執行機構，所述密封箱的底部與所述氣缸氣密連接，頂部與所述執行機構氣密連接并與所述執行機構同步移動，且所述密封圈顯露于所述密封箱內。

優選地，還包括測試設備，所述測試設備連接于所述密封箱，用于檢測所述執行機構與所述氣缸之間的氣體泄漏。

優選地，所述測試設備包括真空泵、測壓計、流量計中的一種。

優選地，所述密封箱及所述測試設備之間連接有排氣管。

優選地，所述密封圈位于所述氣缸上表面。

優選地，所述密封箱位于所述氣缸上表面，覆蓋部分或全部覆蓋所述氣缸上表面。