[實(shí)用新型]半導(dǎo)體封裝單元有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721706522.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207800637U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王昇龍;詹富豪 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 昱鑫制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/48;H01L33/54;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體封裝單元 基板 半導(dǎo)體晶片 封裝層 本實(shí)用新型 鋸齒狀構(gòu)造 上表面 圓錐狀 碎裂 點(diǎn)狀凹陷 包覆 復(fù)數(shù) 制程 切割 制作 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝單元,其特征在于,包括:
一基板,包括一上表面、一下表面及復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)表面,其中所述上表面與所述下表面相對(duì),而所述復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)表面則環(huán)設(shè)在所述上表面及所述下表面的周?chē)?/p>
至少一半導(dǎo)體晶片,位于所述基板的所述上表面;
一封裝層,設(shè)置在所述基板的上表面,并包覆所述半導(dǎo)體晶片,并具有復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)邊;及
一鋸齒狀構(gòu)造或一圓錐狀構(gòu)造,包括復(fù)數(shù)個(gè)點(diǎn)狀凹陷部,位于所述基板的至少一所述側(cè)表面及所述封裝層的至少一所述側(cè)邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝單元,其特征在于,其中位于所述封裝層的至少一所述側(cè)邊的所述點(diǎn)狀凹陷部包括一第一弧形結(jié)構(gòu),而位于所述基板的至少一所述側(cè)邊的所述點(diǎn)狀凹陷部則包括一第二弧形結(jié)構(gòu),且所述第一弧形結(jié)構(gòu)的弧度與所述第二弧形結(jié)構(gòu)不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝單元,其特征在于,其中該封裝層包括至少一封裝體及至少一保護(hù)層,該封裝體為半圓球狀、方形體、平面或曲面構(gòu)造并包覆該半導(dǎo)體晶片,而該保護(hù)層則位于未設(shè)置該封裝體的該基板的表面。
4.一種半導(dǎo)體封裝單元,其特征在于,包括:
至少一半導(dǎo)體晶片;
一封裝層,設(shè)置并包覆所述半導(dǎo)體晶片,具有復(fù)數(shù)個(gè)側(cè)邊;及
一鋸齒狀構(gòu)造或一圓錐狀構(gòu)造,包括復(fù)數(shù)個(gè)點(diǎn)狀凹陷部,位于所述封裝層的至少一所述側(cè)邊,所述點(diǎn)狀凹陷部包括一第一弧形結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





