[實用新型]一種瞬態電壓抑制器

有效

• 申請號: 201721689651.1
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN207474473U
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 邱志偉
• 申請（專利權）人: 廣州立訊檢測有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06;H01L23/367
• 代理公司: 深圳市鼎智專利代理事務所(普通合伙) 44411
• 代理人: 羅雄燕

本實用新型公開了一種瞬態電壓抑制器，包括:散熱座，設置在所述散熱座上表面的P型抑制晶片，所述P型抑制晶片上表面設置有多個凹槽，所述P型抑制晶片上表面設置有一N型抑制晶片，所述N型抑制晶片下表面設置有容納在凹槽內的凸起片；所述P型抑制晶片和N型抑制晶片上表面包裹有一封裝體，所述散熱座上表面兩側皆設置有一用于固定封裝體的限位凸起。本實用新型所提供的瞬態電壓抑制器，通過設置散熱座，有效的增加了其散熱效果，提高了使用壽命，同時，由于增加了P型抑制晶片與N型抑制晶片之間的基礎面積，使得在同樣尺寸的抑制晶片，能夠承受更大的浪涌功率或浪涌電流。

技術領域

本實用新型涉及電子元件領域，尤其涉及的是一種瞬態電壓抑制器。

背景技術

瞬態電壓抑制器又叫瞬態抑制二極管(TVS)或者鉗位型二極管，是目前國際上普遍使用的一種高效能電路保護器件，它的外型與普通二極管相同，但卻能吸收高達數千瓦的浪涌功率，它的主要特點是在反向應用條件下，當承受一個高能量的大脈沖時，其工作阻抗立即降至極低的導通值，從而允許大電流通過，同時把電壓鉗制在預定水平，其響應時間僅為10-12毫秒，因此可有效地保護電子線路中的精密元器件。TVS允許的正向浪涌電流在TA=250C，T=10ms條件下，可達50～200A。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率，并把電壓鉗制到預定水平；雙向TVS適用于交流電路，單向TVS一般用于直流電路，可用于防雷擊、防過電壓、抗干擾、吸收浪涌功率等，是一種理想的保護器件。

現有技術中的瞬態電壓抑制器，通常情況下都沒有設置散熱器導致其散熱性能不好，影響其使用壽命，同時，由于結面面積小，同樣尺寸的抑制晶片，其能夠承受的浪涌功率或浪涌電流小。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

實用新型內容

鑒于上述現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種瞬態電壓抑制器，旨在解決現有技術中的瞬態電壓抑制器散熱性能差及能夠承受的浪涌功率或浪涌電流小的問題。

本實用新型的技術方案如下：

一種瞬態電壓抑制器，其中，所述瞬態電壓抑制器包括:

散熱座，設置在所述散熱座上表面的P型抑制晶片，所述P型抑制晶片上表面設置有多個凹槽，所述P型抑制晶片上表面設置有一N型抑制晶片，所述N型抑制晶片下表面設置有容納在凹槽內的凸起片；

所述P型抑制晶片和N型抑制晶片上表面包裹有一封裝體，所述散熱座上表面兩側皆設置有一用于固定封裝體的限位凸起。

優選地，所述的瞬態電壓抑制器，其中，兩個所述凹槽之間的距離為0.002mm-0.003mm。

優選地，所述的瞬態電壓抑制器，其中，所述凸起片的高度為0.04mm-0.05mm。

與現有技術相比，本實用新型所提供的瞬態電壓抑制器，包括：散熱座，設置在所述散熱座上表面的P型抑制晶片，所述P型抑制晶片上表面設置有多個凹槽，所述P型抑制晶片上表面設置有一N型抑制晶片，所述N型抑制晶片下表面設置有容納在凹槽內的凸起片；所述P型抑制晶片和N型抑制晶片上表面包裹有一封裝體，所述散熱座上表面兩側皆設置有一用于固定封裝體的限位凸起，通過設置散熱座，有效的增加了其散熱效果，提高了使用壽命，同時，由于增加了P型抑制晶片與N型抑制晶片之間的基礎面積，使得在同樣尺寸的抑制晶片，能夠承受更大的浪涌功率或浪涌電流。

附圖說明

圖1是本實用新型中的瞬態電壓抑制器較佳實施例的結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型提供一種瞬態電壓抑制器，為使本實用新型的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實例對本實用新型進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。