[實(shí)用新型]一種瞬態(tài)電壓抑制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721689651.1 | 申請日： | 2017-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN207474473U | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱志偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州立訊檢測有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 羅雄燕 |
| 地址： | 510000 廣東省廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 瞬態(tài)電壓抑制器 晶片上表面 散熱座上表面 本實(shí)用新型 散熱座 晶片下表面 固定封裝 浪涌電流 散熱效果 使用壽命 限位凸起 封裝體 凸起片 浪涌 容納 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述瞬態(tài)電壓抑制器包括:
散熱座，設(shè)置在所述散熱座上表面的P型抑制晶片，所述P型抑制晶片上表面設(shè)置有多個(gè)凹槽，所述P型抑制晶片上表面設(shè)置有一N型抑制晶片，所述N型抑制晶片下表面設(shè)置有容納在凹槽內(nèi)的凸起片；
所述P型抑制晶片和N型抑制晶片上表面包裹有一封裝體，所述散熱座上表面兩側(cè)皆設(shè)置有一用于固定封裝體的限位凸起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，兩個(gè)所述凹槽之間的距離為0.002mm-0.003mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述凸起片的高度為0.04mm-0.05mm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
