[實用新型]一種能降低超結器件導通電阻的外延結構有效
| 申請號： | 201721679770.9 | 申請日： | 2017-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN207651490U | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 張艷旺;吳宗憲;白福瑞 | 申請（專利權）人： | 無錫橙芯微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江蘇省無錫市濱湖*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第一導電類型 導電類型 注入區 超結器件 導通電阻 外延結構 本實用新型 超結結構 復合問題 平行分布 器件單元 提升器件 有效解決 雜質注入 外延層 掩膜板 重摻雜 襯底 指向 擴散 相距 | ||
1.一種能降低超結器件導通電阻的外延結構，在外延結構的俯視平面上，包含元胞區，所述元胞區包括若干個器件單元體制作區；在外延結構的剖視平面上，所述器件單元體包括第一導電類型重摻雜襯底（1）及位于所述第一導電類型重摻雜襯底（1）上的第一導電類型外延層（3），其特征在于，從所述第一導電類型外延層（3）指向第一導電類型重摻雜襯底（1）的深度方向上設有若干個第一導電類型注入區（31）和若干個第二導電類型注入區（32），所述若干個第一導電類型注入區（31）相連構成第一導電類型柱（4），所述若干個第二導電類型注入區（32）相連構成第二導電類型柱（5），所述第一導電類型柱（4）和第二導電類型柱（5）交替平行分布，共同構成了超結結構；在單個器件單元體制作區內，所述第一導電類型注入區（31）的寬度為X，所述第二導電類型注入區（32）的寬度為Y，所述器件單元體的寬度為L，且2Y+X< L。
2.根據權利要求1所述的一種能降低超結器件導通電阻的外延結構，其特征在于：在高溫退結前，所述第一導電類型柱（4）和第二導電類型柱（5）不相鄰，且第一導電類型柱（4）和第二導電類型柱（5）交替分布的間距相同。
3.根據權利要求1所述的一種能降低超結器件導通電阻的外延結構，其特征在于：所述第一導電類型注入區（31）內填充有第一導電類型雜質，第二導電類型注入區（32）內填充有第二導電類型雜質。
4.根據權利要求1所述的一種能降低超結器件導通電阻的外延結構，其特征在于：可選的在第一導電類型重摻雜襯底（1）和第一導電類型外延層（3）間加入一層第一導電類型緩沖層（2）。
5.根據權利要求1所述的一種能降低超結器件導通電阻的外延結構，其特征在于：對于N型超結器件，所述第一導電類型為N型導電，所述第二導電類型為P型導電；對于P型超結器件，所述第一導電類型為P型導電，所述第二導電類型為N型導電。
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