[實用新型]一種用于高基頻石英晶體片的清洗裝置

有效

• 申請號: 201721678796.1
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN207887610U
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 杜敏;姚曉文;李祥;李坡
• 申請（專利權）人: 廊坊中電熊貓晶體科技有限公司
• 主分類號: B08B11/00
• 分類號: B08B11/00;B08B3/10;B08B3/08
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

本實用新型是一種用于高基頻石英晶體片的清洗裝置，其結構是由兩個完全相同的組件構成，組件上有多個石英晶體片載盤，每個石英晶體片載盤有多個槽孔，導桿依次穿過石英晶體片載盤、擋捎，由擋捎上的螺絲旋緊進行固定，使擋捎、導桿與石英晶體片載盤固定不晃動，完成清洗裝置的組裝；優點：裝置組件上密布的槽孔既能加大一次清洗的數量，提高清洗效率，又可保證清洗的完全性和石英晶體片表面的一致性；也可避免石英晶體片MESA區域垂直受力而碎裂的發生，并也有利于清洗液與石英晶體片表面充分接觸和流動。解決了傳統清洗中石英晶體片相互間碰撞和重疊問題。

技術領域

本實用新型涉及的是一種用于高基頻石英晶體片的清洗裝置，應用于電子器件晶體制造領域中高基頻MESA石英晶體片的清洗，屬于石英電子元件制作的生產技術領域。

背景技術

隨著電子信息技術的飛速發展，頻率元件的要求而今變得越來越高。作為頻率元件的一種，石英晶體振蕩器也面臨更高的穩定性、更低的噪聲、更小的抖動和更短的開關時間等要求。為了同時滿足晶體高頻率和高性能參數的要求，設計者開始考慮生產高基頻石英晶體片。在傳統的石英元件制造中，高基頻（大于125MHz）石英晶體片因受制于機械加工極限而制作失敗，為了解決高基頻石英晶體片生產問題，研究者在振蕩器生產過程中，通過穩定刻蝕的方法在石英表面進行局部處理獲得超高基頻的石英晶體片。通過這一技術生產的高基頻石英晶體片，制作成反向臺面（inverted-mesa）晶體，相比于利用石英晶體片倍頻技術，或IC倍頻技術生產的產品，有更好的相位噪聲，更小的抖動值及更好的短穩特性等。制作成反向臺面的高基頻石英晶體片（簡稱MESA石英晶體片），加工流程中需要進行兩次清洗：第一次清洗時將生產MESA石英晶體片所需的石英晶體片胚片置于清洗裝置中，經過超聲清洗和甩干烘干后進行鍍膜處理，將石英晶體片掩膜部分外的區域鍍上金屬保護層（一般為金）；第二次酸洗是將鍍有金保護層的石英晶體片置于清洗裝置中，然后放入lattice酸中腐蝕，對鍍膜過程中暴露部分（MESA區域）進行腐蝕，從而制作出具反向臺面的MESA石英晶體片。在設計清洗裝置的時候就遇到了這樣的問題：必須在保證高基頻MESA石英晶體片完好的前提下盡可能的提高MESA晶片表面的平整度。目前的常規清洗設計為將晶片置于清洗籃中進行超聲清洗或者將晶片置于被銀夾具中帶工裝超聲清洗，然后再烘干進行后續操作。對于高基頻MESA石英晶體片，由于石英晶體片MESA區域厚度極薄，普通超聲清洗會造成石英晶體片碎裂，傳統帶工裝清洗則會導致第二次酸洗過程中MESA區域腐蝕不均勻，且工裝也會被強酸腐蝕。

實用新型內容

本實用新型提出的是一種用于高基頻石英晶體片的清洗裝置，其目的在于克服現有技術在清洗過程中高基頻MESA石英晶體片易碎，酸洗過程中石英晶體片MESA區域腐蝕不均勻等缺陷。解決傳統清洗中石英晶體片相互間碰撞和重疊問題，設計多延槽孔提高石英晶體片清洗效率并保證清洗液的流通。

本實用新型的技術解決方案：用于高基頻石英晶體片的清洗裝置，其結構是由兩個完全相同的組件構成，兩組件的石英晶體片載盤2間夾一個延槽孔，所述石英晶體片載盤2上插有導桿1，導桿1穿過擋捎3，擋捎3上有螺絲4；旋緊螺絲4使擋捎3、導桿1與石英晶體片載盤2固定不晃動，完成清洗裝置的組裝。

本實用新型的優點：組件可用有機材料制作，可以耐受強酸的腐蝕；裝置組件上密布的延槽孔既能加大一次清洗的數量，提高清洗效率，同時可以增加清洗過程中清洗液的流通性以保證石英晶體片表面充分與清洗液接觸，保證清洗的完全性和石英晶體片表面的一致性；裝置圓盤狀組件的設計使其在清洗和甩干轉動時，石英晶體片所受離心力方向與其主表面平行，避免了石英晶體片MESA區域垂直受力而碎裂的發生，并有利于清洗液與石英晶體片表面充分接觸和流動。解決了傳統清洗中石英晶體片相互間碰撞和重疊問題。

附圖說明

圖1是石英晶體片載盤俯視立體圖：如圖所示，高平臺的分布及延槽孔的形狀，延槽孔5°平均分布，每盤72個延槽孔。

圖2是石英晶體片載盤仰視立體圖：如圖所示，格擋圈的分布及下表面延槽孔的形狀。