[實(shí)用新型]一種濕法刻蝕的上料裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721670679.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN207542206U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林建偉;何大娟;劉志鋒;季根華;劉勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰州中來(lái)光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18
• 代理公司: 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11137
• 代理人: 林建軍

本實(shí)用新型涉及一種濕法刻蝕的上料裝置，包括上料主機(jī)臺(tái)、反應(yīng)槽、滾輪、儲(chǔ)液槽，反應(yīng)槽設(shè)置在上料主機(jī)臺(tái)上，滾輪設(shè)置在反應(yīng)槽的頂部，反應(yīng)槽里放置有腐蝕液，反應(yīng)槽中的腐蝕液的液面高于滾輪的底部，儲(chǔ)液槽中的化學(xué)品和水通過(guò)循環(huán)泵輸送至反應(yīng)槽，儲(chǔ)液槽上設(shè)置有化學(xué)品配液添加系統(tǒng)和水配液添加系統(tǒng)。其有益效果是：本實(shí)施例的濕法刻蝕的上料裝置將上料和反應(yīng)槽集成于一個(gè)單元槽，在完成硅片上料的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)去除單面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工藝的功能槽作用，從而增加了本實(shí)用新型的濕法刻蝕的上料裝置的功能，減少了制造工序及設(shè)備成本，節(jié)約了功能槽的長(zhǎng)度，節(jié)省了設(shè)備空間，減少了多道滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)帶來(lái)的碎片。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及晶體硅太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中的濕法刻蝕的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種濕法刻蝕的上料裝置。

背景技術(shù)

晶體硅太陽(yáng)能電池常規(guī)生產(chǎn)工藝一般包括以下步驟：清洗、制絨、擴(kuò)散、刻蝕、去PSG、PECVD、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)。其中，刻蝕是其中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，其目的是去掉硅片背面和四周的PN結(jié)，以使硅片的正面和背面相互絕緣。

目前，鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)設(shè)備是一種常用的濕法刻蝕設(shè)備，其原理是：在HF/HNO₃體系中，利用表面張力和毛細(xì)力的作用去除邊緣和背面的PN結(jié)，而不會(huì)影響太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)。這種設(shè)備包括：刻蝕槽、水噴淋槽、堿槽、水噴淋槽、去PSG槽、水噴淋槽和吹干裝置。

隨著各種新型高效電池的興起，鈍化技術(shù)對(duì)電池表面的要求越來(lái)越高，由于高溫爐管等設(shè)備本身的限制，制備過(guò)程中容易帶來(lái)另一面的繞鍍現(xiàn)象，如何去除這一面繞鍍的生成物，如磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG或氮化硅SiNx等物質(zhì)，是電池制備過(guò)程中的一大難點(diǎn)。如果直接走濕法刻蝕，刻蝕并不能完全將繞鍍生成物去除干凈，因而會(huì)造成較高的表面復(fù)合速率，大大地降低電池的轉(zhuǎn)換效率。

目前，在濕法刻蝕機(jī)臺(tái)上解決該問(wèn)題的工藝流程如下：第一臺(tái)設(shè)備：入料→單邊刻蝕→水洗→吹干→出料；第二臺(tái)設(shè)備：上料→刻蝕→水洗→HF酸洗→水洗→下料。這種方法不僅導(dǎo)致了設(shè)備的結(jié)構(gòu)長(zhǎng)，而且還增加了制造成本。因此，如何在不增加工序的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)單面刻蝕是本領(lǐng)域的一大技術(shù)挑戰(zhàn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低的晶體硅太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中的濕法刻蝕的上料裝置。

本實(shí)用新型的一種濕法刻蝕的上料裝置，其技術(shù)方案為：

一種濕法刻蝕的上料裝置，包括上料主機(jī)臺(tái)、反應(yīng)槽、滾輪、儲(chǔ)液槽，所述反應(yīng)槽設(shè)置在所述上料主機(jī)臺(tái)上，所述滾輪設(shè)置在所述反應(yīng)槽的頂部，所述反應(yīng)槽里放置有腐蝕液，所述反應(yīng)槽中的腐蝕液的液面高于所述滾輪的底部，所述儲(chǔ)液槽中的化學(xué)品和水通過(guò)所述循環(huán)泵輸送至所述反應(yīng)槽，所述儲(chǔ)液槽上設(shè)置有化學(xué)品配液添加系統(tǒng)和水配液添加系統(tǒng)。

其中，所述儲(chǔ)液槽中還設(shè)置有化學(xué)品自動(dòng)補(bǔ)給系統(tǒng)和水自動(dòng)補(bǔ)給系統(tǒng)。

其中，所述滾輪為螺紋帶液滾輪或海綿帶液滾輪，所述滾輪帶有定向功能。

其中，硅片通過(guò)所述滾輪之間的輥道水平輸送，所述硅片的前部剛進(jìn)入到反應(yīng)槽中時(shí)，所述硅片的頭部邊緣略微接觸反應(yīng)槽中的腐蝕液的液面，以使得所述腐蝕液在硅片下表面形成薄膜；所述腐蝕液為氫氟酸。

其中，所述濕法刻蝕的上料裝置還包括獨(dú)立的循環(huán)系統(tǒng)和抽風(fēng)系統(tǒng)。

其中，所述反應(yīng)槽的材質(zhì)為聚丙烯，所述反應(yīng)槽的長(zhǎng)度為400-1000nm。

本實(shí)用新型的實(shí)施包括以下技術(shù)效果：

(1)、本實(shí)用新型將上料和反應(yīng)槽集成于一個(gè)單元槽，在完成硅片上料的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)去除單面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工藝的功能槽作用，這樣使得濕法刻蝕的上料裝置的上料主機(jī)臺(tái)增加了反應(yīng)槽的功能，從而減少了制造工序及設(shè)備成本，節(jié)約了功能槽的長(zhǎng)度，節(jié)省了設(shè)備空間，減少了多道滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)帶來(lái)的碎片。