[實(shí)用新型]一種濕法刻蝕的上料裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721670679.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207542206U | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林建偉;何大娟;劉志鋒;季根華;劉勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泰州中來光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建軍 |
| 地址: | 225500 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng)槽 上料裝置 濕法刻蝕 上料 儲(chǔ)液槽 滾輪 本實(shí)用新型 添加系統(tǒng) 腐蝕液 功能槽 化學(xué)品 滾輪轉(zhuǎn)動(dòng) 磷硅玻璃 硼硅玻璃 設(shè)備成本 設(shè)備空間 制造工序 單元槽 氮化硅 循環(huán)泵 主機(jī)臺(tái) 硅片 配液 去除 水配 液面 主機(jī) 節(jié)約 | ||
1.一種濕法刻蝕的上料裝置,包括上料主機(jī)臺(tái)、反應(yīng)槽、滾輪、儲(chǔ)液槽,其特征在于:所述反應(yīng)槽設(shè)置在所述上料主機(jī)臺(tái)上,所述滾輪設(shè)置在所述反應(yīng)槽的頂部,所述反應(yīng)槽里放置有腐蝕液,所述反應(yīng)槽中的腐蝕液的液面高于所述滾輪的底部,所述儲(chǔ)液槽中的化學(xué)品和水通過循環(huán)泵輸送至所述反應(yīng)槽,所述儲(chǔ)液槽上設(shè)置有化學(xué)品配液添加系統(tǒng)和水配液添加系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述儲(chǔ)液槽中還設(shè)置有化學(xué)品自動(dòng)補(bǔ)給系統(tǒng)和水自動(dòng)補(bǔ)給系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述滾輪為螺紋帶液滾輪或海綿帶液滾輪,所述滾輪帶有定向功能。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:硅片通過所述滾輪之間的輥道水平輸送,所述硅片的前部剛進(jìn)入到反應(yīng)槽中時(shí),所述硅片的頭部邊緣略微接觸反應(yīng)槽中的腐蝕液的液面,以使得所述腐蝕液在硅片下表面形成薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述濕法刻蝕的上料裝置還包括獨(dú)立的循環(huán)系統(tǒng)和抽風(fēng)系統(tǒng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種濕法刻蝕的上料裝置,其特征在于:所述反應(yīng)槽的材質(zhì)為聚丙烯,其長(zhǎng)度為400-1000nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





