[實(shí)用新型]一種全光譜白光微LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721656149.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN207558789U
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許毅欽;陳志濤;古志良;劉曉燕;張志清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/50
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳莎

本實(shí)用新型提供了一種全光譜白光微LED芯片，涉及高品質(zhì)照明技術(shù)領(lǐng)域。所述全光譜白光微LED芯片包括微LED陣列、粘接層和熒光粉薄膜，所述微LED陣列包括基體以及陣列在所述基體上的微LED芯片；所述粘接層覆蓋在所述微LED芯片上；所述熒光粉薄膜包括熒光粉膠層和第一膠體層，相鄰兩個(gè)所述熒光粉膠層之間采用所述第一膠體層隔離；所述熒光粉薄膜覆蓋在所述粘接層上，所述熒光粉膠層正對(duì)所述微LED芯片，所述第一膠體層正對(duì)所述微LED芯片之間的間隙。通過在微LED陣列表面涂覆熒光粉膠層，形成組合發(fā)光，具有尺寸小、發(fā)光面積小、二次配光設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、光品質(zhì)高等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及高品質(zhì)照明技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種全光譜白光微LED芯片。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體照明光源是一種綠色環(huán)保節(jié)能的新型高效光源。半導(dǎo)體照明光源正在取代熒光燈和白熾燈等成為第四代照明光源。常見的白光LED是通過藍(lán)光LED芯片激發(fā)熒光粉后混合獲得，其中熒光粉涂覆技術(shù)的好壞直接影響LED的發(fā)光性能，涂覆的熒光粉種類和厚度等都會(huì)影響LED的發(fā)光效率、色溫、顯色指數(shù)等。

目前，大功率LED一般采用點(diǎn)膠的涂覆方法，該方法所制備的熒光粉膠層的形狀和厚度難以精確控制。噴涂、旋涂等涂覆方法只能滿足大尺寸LED芯片的涂覆。對(duì)于小尺寸LED芯片(毫米級(jí)微LED芯片或微米級(jí)微LED芯片)涂覆熒光粉，仍然難以實(shí)現(xiàn)。

另一方面，人們的生活水平不斷提高，對(duì)照明的要求也越來越高，僅僅高顯色指數(shù)的白光已經(jīng)不能滿足人們生活多樣化的需求。全光譜白光LED具有較高的照明質(zhì)量。現(xiàn)有全光譜白光LED主要通過多熒光粉混合、多LED燈珠混合、智能調(diào)光控制等方式實(shí)現(xiàn)，但這些方法存在混合光源發(fā)光面積大、二次配光設(shè)計(jì)困難、調(diào)光控制復(fù)雜等問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種全光譜白光微LED芯片，其發(fā)光面積小、二次配光設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、色溫可控以及光譜可調(diào)。

本實(shí)用新型提供的第一種技術(shù)方案：

一種全光譜白光微LED芯片的熒光粉涂覆方法，包括：

S1：在水平轉(zhuǎn)盤上旋涂熒光粉膠層；

S2：在熒光粉膠層上依次旋涂第一膠體層和熒光粉膠層，如此循環(huán)，形成熒光粉膠疊加層，其中，熒光粉膠層的厚度等于微LED芯片的寬度，第一膠體層的厚度等于微LED芯片之間的間距；

S3：沿豎直方向垂直切割熒光粉膠疊加層，形成豎直片狀的熒光粉薄膜，熒光粉薄膜包括層疊設(shè)置的第一膠體層和熒光粉膠層；

S4：將熒光粉薄膜旋轉(zhuǎn)90°至水平放置；

S5：將熒光粉薄膜覆蓋到微LED陣列的粘接層上，熒光粉膠層正對(duì)微LED芯片，第一膠體層正對(duì)微LED芯片之間的間隙。

進(jìn)一步地，在S5中，微LED陣列包括多個(gè)條形的微LED芯片，多個(gè)條形的微LED芯片間隔平行排布；

在S3中，熒光粉薄膜中的第一膠體層和熒光粉膠層均為條形；第一膠體層、微熒光粉膠層以及LED芯片三者的長度相等。

進(jìn)一步地，在S4與S5之間，還包括：

S41：將多個(gè)熒光粉薄膜拼接成一個(gè)薄膜整體，其中，相鄰兩個(gè)熒光粉薄膜之間采用第二膠體層粘接，薄膜整體中的熒光粉膠層為方形、且呈矩陣形式排布；

在S5中，微LED陣列包括多個(gè)方形的微LED芯片，多個(gè)方形的微LED芯片呈矩陣形式排布；熒光粉膠層的邊長等于微LED芯片的邊長。

進(jìn)一步地，在S41與S5之間，還包括：

S42：將至少兩個(gè)薄膜整體層疊設(shè)置，其中，相鄰兩個(gè)薄膜整體之間采用第三膠體層粘接，相鄰兩個(gè)薄膜整體中的熒光粉膠層相互正對(duì)。