[實(shí)用新型]非對稱磁路發(fā)聲裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721648104.9 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN207652685U | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱婷;郭翔 | 申請(專利權(quán))人: | 歌爾科技有限公司 |
| 主分類號: | H04R9/06 | 分類號: | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智;馬佑平 |
| 地址: | 266104 山東省青島*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 引線段 非對稱磁路 磁路系統(tǒng) 發(fā)聲裝置 音圈 磁間隙 本實(shí)用新型 連接段 與非 平衡引線 位置處 偏振 延伸 | ||
本實(shí)用新型公開了一種非對稱磁路發(fā)聲裝置。該非對稱磁路發(fā)聲裝置包括音圈和磁路系統(tǒng),所述音圈置于所述磁路系統(tǒng)中;所述音圈具有引線段、非引線段和連接段,所述引線段和非引線段分布在音圈的相對位置,所述連接段將引線段與非引線段連接,所述引線段上延伸出引線;所述磁路系統(tǒng)中形成有磁間隙,至少所述引線段位于所述磁間隙中,所述磁路系統(tǒng)在與所述非引線段對應(yīng)的位置處不形成磁間隙。本實(shí)用新型的非對稱磁路發(fā)聲裝置能夠平衡引線側(cè)與非引線側(cè)受到的作用力,減弱偏振。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于電聲換能技術(shù)領(lǐng)域,具體地,本實(shí)用新型涉及一種非對稱磁路發(fā)聲裝置。
背景技術(shù)
發(fā)聲裝置是電子產(chǎn)品中用于將聲音信號轉(zhuǎn)化為聲音的電子器件,其廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。手機(jī)、平板電腦等電子產(chǎn)品近年來發(fā)展迅速,技術(shù)更新快。相應(yīng)的,發(fā)聲裝置的性能也需要提高,以滿足電子產(chǎn)品的聲學(xué)性能要求。
在現(xiàn)有技術(shù)中,電子產(chǎn)品中應(yīng)用的發(fā)聲裝置通常為動圈式發(fā)聲裝置,這種發(fā)聲裝置通過引線和振膜懸掛音圈。但是,由于引線從音圈中引出,所以引線對音圈具有牽引作用力。在動圈式發(fā)聲裝置中,引線的牽引力有可能導(dǎo)致音圈的不同區(qū)域受到的力不一致。這一問題進(jìn)一步會導(dǎo)致音圈的振動不平衡,使音圈在工作時容易出現(xiàn)偏振。
音圈的偏振問題一方面會影響發(fā)聲裝置的聲學(xué)性能,無法滿足電子產(chǎn)品對音質(zhì)的要求;另一方面,有可能導(dǎo)致引線斷線,對發(fā)聲裝置的使用壽命和可靠性形成了潛在風(fēng)險。
所以需要對發(fā)聲裝置進(jìn)行改進(jìn),減小或解決發(fā)聲裝置的偏振問題,進(jìn)而提高聲學(xué)性能和改善產(chǎn)品可靠性。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的一個目的是,提供一種改進(jìn)的發(fā)聲裝置。
根據(jù)本實(shí)用新型的一個方面,提供了一種非對稱磁路發(fā)聲裝置,包括音圈和磁路系統(tǒng),所述音圈置于所述磁路系統(tǒng)中;所述音圈具有引線段、非引線段和連接段,所述引線段和非引線段分布在音圈的相對位置,所述連接段將引線段與非引線段連接,所述引線段上延伸出引線;所述磁路系統(tǒng)中形成有磁間隙,至少所述引線段位于所述磁間隙中,所述磁路系統(tǒng)在與所述非引線段對應(yīng)的位置處不形成磁間隙。
可選地,所述磁路系統(tǒng)為單磁路系統(tǒng),所述單磁路系統(tǒng)包括:下導(dǎo)磁板和中心磁體,所述中心磁體設(shè)置在所述下導(dǎo)磁板上;所述下導(dǎo)磁板具有側(cè)壁,所述磁間隙位于所述側(cè)壁與中心磁體之間,至少所述下導(dǎo)磁板與所述引線段對應(yīng)的位置處具有側(cè)壁,下導(dǎo)磁板與非引線段對應(yīng)的位置處不具有側(cè)壁。
可選地,所述下導(dǎo)磁板在與連接段對應(yīng)的位置處具有側(cè)壁。
可選地,所述磁路系統(tǒng)為雙磁路系統(tǒng),所述雙磁路系統(tǒng)包括:中心磁體和邊磁體,所述邊磁體位于所述中心磁體周圍;所述中心磁體與邊磁體之間形成有所述磁間隙,至少所述引線段位于所述中心磁體與邊磁體之間。
可選地,所述連接段位于所述邊磁體與中心磁體之間。
可選地,所述雙磁路系統(tǒng)還包括下導(dǎo)磁板,所述中心磁體和邊磁體設(shè)置于所述下導(dǎo)磁板上。
可選地,所述下導(dǎo)磁板在與所述連接段對應(yīng)的位置處具有側(cè)壁,所述側(cè)壁與所述中心磁體之間形成有磁間隙,所述連接段位于所述側(cè)壁與中心磁體之間。
可選地,所述側(cè)壁為從下導(dǎo)磁板延伸出的彎折側(cè)壁。
可選地,所述單磁路系統(tǒng)或雙磁路系統(tǒng)的非對稱磁路發(fā)聲裝置,還包括中心華司,所述中心華司設(shè)置于所述中心磁體上。
可選地,所述的非對稱磁路發(fā)聲裝置還包括殼體和振膜,所述磁路系統(tǒng)置于所述殼體內(nèi),所述音圈連接在所述振膜的一側(cè),所述振膜邊緣與所述殼體連接,使所述音圈懸于所述磁路系統(tǒng)中。
本實(shí)用新型的一個技術(shù)效果在于:本實(shí)用新型的非對稱磁路發(fā)聲裝置提供的非對稱磁路系統(tǒng)能夠平衡引線側(cè)與非引線側(cè)受到的作用力,減弱偏振。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于歌爾科技有限公司,未經(jīng)歌爾科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721648104.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





