[實用新型]非對稱磁路發聲裝置

有效

• 申請號: 201721648104.9
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN207652685U
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 朱婷;郭翔
• 申請（專利權）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號: H04R9/06
• 分類號: H04R9/06;H04R9/02
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王昭智;馬佑平

1.一種非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，包括音圈和磁路系統，所述音圈置于所述磁路系統中；所述音圈具有引線段、非引線段和連接段，所述引線段和非引線段分布在音圈的相對位置，所述連接段將引線段與非引線段連接，所述引線段上延伸出引線；所述磁路系統中形成有磁間隙，至少所述引線段位于所述磁間隙中，所述磁路系統在與所述非引線段對應的位置處不形成磁間隙。

2.根據權利要求1所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，所述磁路系統為單磁路系統，所述單磁路系統包括：下導磁板和中心磁體，所述中心磁體設置在所述下導磁板上；所述下導磁板具有側壁，所述磁間隙位于所述側壁與中心磁體之間，至少所述下導磁板與所述引線段對應的位置處具有側壁，下導磁板與非引線段對應的位置處不具有側壁。

3.根據權利要求2所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，所述下導磁板在與連接段對應的位置處具有側壁。

4.根據權利要求1所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，所述磁路系統為雙磁路系統，所述雙磁路系統包括：中心磁體和邊磁體，所述邊磁體位于所述中心磁體周圍；所述中心磁體與邊磁體之間形成有所述磁間隙，至少所述引線段位于所述中心磁體與邊磁體之間。

5.根據權利要求4所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，所述連接段位于所述邊磁體與中心磁體之間。

6.根據權利要求4所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，所述雙磁路系統還包括下導磁板，所述中心磁體和邊磁體設置于所述下導磁板上。

7.根據權利要求6所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，所述下導磁板在與所述連接段對應的位置處具有側壁，所述側壁與所述中心磁體之間形成有磁間隙，所述連接段位于所述側壁與中心磁體之間。

8.根據權利要求2、3、7任意之一所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，所述側壁為從下導磁板延伸出的彎折側壁。

9.根據權利要求2或4所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，還包括中心華司，所述中心華司設置于所述中心磁體上。

10.根據權利要求1所述的非對稱磁路發聲裝置，其特征在于，還包括殼體和振膜，所述磁路系統置于所述殼體內，所述音圈連接在所述振膜的一側，所述振膜邊緣與所述殼體連接，使所述音圈懸于所述磁路系統中。