[實用新型]感光電路及具有感光電路的感光單元有效
| 申請號: | 201721645533.0 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN207517685U | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發明(設計)人: | 陳小明;趙曉輝;馬曉丹;劉鵬 | 申請(專利權)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 518115 廣東省深圳市龍崗區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感光管 閾值電壓 感光電路 感光單元 阻抗元件 柵極端 導通 感光靈敏度 漏極端 源極端 光照 申請 施加 掃描電壓 接地 懸浮柵 感光 高電 內阻 | ||
本申請公開一種感光電路,包括感光管和阻抗元件,所述感光管包括懸浮柵、柵極端、漏極端和源極端,所述源極端接地,所述漏極端與所述阻抗元件連接,所述阻抗元件的阻值大于所述感光管導通時的內阻,所述柵極端被施加不足以使所述感光管導通的高電平時,所述感光管的閾值電壓為第一閾值電壓,所述感光管具有第一閾值電壓時,所述柵極端被光照且同時被施加掃描電壓至所述感光管導通時,所述感光管的閾值電壓由所述第一閾值電壓升為第二閾值電壓,所述感光管的光照強度通過所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓計算。本申請還公開一種感光單元。本申請的感光電路及感光單元的感光靈敏度不依賴于所述感光電路的感光面積,感光靈敏度高。
技術領域
本申請涉及一種感光電路,尤其涉及一種感光電路及具有所述感光電路的感光單元。
背景技術
目前的光傳感器利用光生載流子效應,通過偵測光生載流子效應造成的電位變化,推算出光源的亮度。然而,利用光生載流子效應的缺點是,為了獲得較多的光生載流子,需要較大的感應面積,這導致感光單元的面積難以縮小。
實用新型內容
本申請實施例公開一種感光電路及具有所述感光電路的感光單元,其敏感性與感光面積無關,解決了上述技術問題。
本申請實施例公開的感光電路,所述感光電路包括感光管和阻抗元件,所述感光管包括懸浮柵,所述感光管還包括柵極端、漏極端和源極端,所述源極端接地,所述漏極端與所述阻抗元件連接,所述阻抗元件的阻值大于所述感光管導通時的內阻,所述柵極端被施加不足以使所述感光管導通的電壓時,所述感光管的閾值電壓為第一閾值電壓,所述感光管具有第一閾值電壓時,所述柵極端被光照且同時被施加掃描電壓至所述感光管導通時,所述感光管的閾值電壓由所述第一閾值電壓升為第二閾值電壓,所述感光管的光照強度通過所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓計算。
本申請實施例公開的感光單元,包括包括控制器和感光電路,所述控制器與所述感光電路電性連接,所述感光電路包括感光管和阻抗元件,所述感光管包括懸浮柵,所述感光管還包括柵極端、漏極端和源極端,所述源極端接地,所述漏極端與所述阻抗元件連接,所述阻抗元件的阻值大于所述感光管導通時的內阻,所述柵極端被施加不足以使所述感光管導通的電壓時,所述感光管的閾值電壓為第一閾值電壓,所述感光管具有第一閾值電壓時,所述柵極端被光照且同時被施加掃描電壓至所述感光管導通時,所述感光管的閾值電壓由所述第一閾值電壓升為第二閾值電壓,所述感光管的光照強度通過所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓計算。
本申請實施例公開的感光電路及包括感光電路的感光單元,其光照強度根據隧穿至懸浮柵的電子導致閾值電壓的變化計算,其感光靈敏度不受感光面積的影響,減小所述感光電路及所述感光單元所占體積,提高了感光靈敏度。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請第一實施例中的感光電路的結構示意圖。
圖2為本申請第一實施例中的感光管的截面示意圖。
圖3為本申請第一實施例中的感光管電子隧穿的過程示意圖。
圖4為本申請第二實施例中的感光電路的結構示意圖。
圖5為本申請一實施例中的感光單元的模塊示意圖。
具體實施方式
下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本申請保護的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





