[實用新型]感光電路及具有感光電路的感光單元

有效

• 申請號: 201721645533.0
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN207517685U
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 陳小明;趙曉輝;馬曉丹;劉鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市柔宇科技有限公司
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種感光電路，其特征在于，所述感光電路包括感光管和阻抗元件，所述感光管包括懸浮柵，所述感光管還包括柵極端、漏極端和源極端，所述源極端接地，所述漏極端與所述阻抗元件連接，所述阻抗元件的阻值大于所述感光管導通時的內阻，所述柵極端被施加不足以使所述感光管導通的高電平時，所述感光管的閾值電壓為第一閾值電壓，所述感光管具有第一閾值電壓時，所述柵極端被光照且同時被施加掃描電壓至所述感光管導通時，所述感光管的閾值電壓由所述第一閾值電壓升為第二閾值電壓，所述感光管的光照強度通過所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓計算。

2.如權利要求1所述的感光電路，其特征在于，所述柵極端被施加不足以使所述感光管導通的高電平的時長大于或等于預設時長時，所述感光管的閾值電壓穩定為所述第一閾值電壓。

3.如權利要求2所述的感光電路，其特征在于，所述柵極端被施加不足以使所述感光管導通的高電平的時長小于所述預設時長時，所述感光管的閾值電壓小于所述第一閾值電壓，且所述感光管的閾值電壓隨著加壓時長的增加而增加，在加壓時長大于或等于所述預設時長時，所述感光管的閾值電壓穩定為所述第一閾值電壓。

4.如權利要求1所述的感光電路，其特征在于，所述感光管被施加掃描電壓至所述感光管導通時的導通電壓等于所述第二閾值電壓。

5.如權利要求1所述的感光電路，其特征在于，所述感光管的漏極端與源極端的電壓為輸出電壓，所述感光管未導通時，所述輸出電壓為高電平，所述感光管導通時，所述輸出電壓為低電平。

6.如權利要求1所述的感光電路，其特征在于，所述感光管包括導電溝道，所述導電溝道鄰近所述漏極端和所述源極端，所述懸浮柵鄰近所述柵極端，所述感光管被施加電壓時，位于所述導電溝道的電子隧穿至所述懸浮柵，所述懸浮柵束縛電子，所述感光管的閾值電壓因而升高。

7.如權利要求6所述的感光電路，其特征在于，所述懸浮柵由氧化鋅制成，所述導電溝道由銦鎵鋅氧化物制成。

8.如權利要求1所述的感光電路，其特征在于，所述感光管為包括所述懸浮柵的NMOS管，所述阻抗元件為NMOS管；或者所述感光管為包括所述懸浮柵的PMOS管，所述阻抗元件均為PMOS管。

9.如權利要求1所述的感光電路，其特征在于，所述感光管為包括所述懸浮柵的NMOS管或PMOS管，所述阻抗元件為阻值大于所述感光管導通時的內阻的電阻。

10.如權利要求1所述的感光電路，其特征在于，所述感光管為包括所述懸浮柵的非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管和MOSFET管中的至少一種。

11.一種感光單元，包括控制器和感光電路，所述控制器與所述感光電路電性連接，其特征在于，所述感光電路包括感光管和阻抗元件，所述感光管包括懸浮柵，所述感光管還包括柵極端、漏極端和源極端，所述源極端接地，所述漏極端與所述阻抗元件連接，所述阻抗元件的阻值大于所述感光管導通時的內阻，所述柵極端被施加不足以使所述感光管導通的高電平時，所述感光管的閾值電壓為第一閾值電壓，所述感光管具有所述第一閾值電壓時，所述柵極端被光照且同時被施加掃描電壓至所述感光管導通時，所述感光管的閾值電壓由所述第一閾值電壓升為第二閾值電壓，所述感光管的光照強度通過所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓計算。