[實(shí)用新型]真空蒸鍍裝置及其蒸發(fā)頭有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721643780.7 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN207918942U | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳勇輝;郝征;李志丹;張俊 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/04 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸發(fā) 噴嘴 掩模板 真空蒸鍍裝置 本實(shí)用新型 噴射方向 頭腔體 蒸鍍 對位精準(zhǔn)度 形變 分辨率 基底 連通 相交 | ||
1.一種蒸發(fā)頭,包括蒸發(fā)頭腔體,其特征在于,還包括多個噴射方向不同且噴射方向互不相交的噴嘴,所述多個噴嘴均與所述蒸發(fā)頭腔體連通。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)頭,其特征在于,所述噴嘴的數(shù)量為兩個,兩個所述噴嘴的噴射方向相反。
3.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)頭,其特征在于,所述蒸發(fā)頭腔體是長方體、正方體、柱狀結(jié)構(gòu)、橢球狀結(jié)構(gòu)或球狀結(jié)構(gòu),所述噴嘴是由多塊擋板圍成的兩端開口的結(jié)構(gòu),所述噴嘴的一端固定在所述蒸發(fā)頭腔體上,所述噴嘴的另一端朝向?qū)?yīng)設(shè)置的需蒸鍍基底,通過設(shè)置于所述蒸發(fā)頭腔體上的通孔使所述多個噴嘴均與所述蒸發(fā)頭腔體連通。
4.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)頭,其特征在于,還包括設(shè)置于所述蒸發(fā)頭腔體內(nèi)的增壓組件,用于增加蒸鍍材料的噴射強(qiáng)度。
5.一種真空蒸鍍裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)頭。
6.如權(quán)利要求5所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,還包括:
蒸發(fā)源,用于將固態(tài)蒸鍍材料轉(zhuǎn)換為氣態(tài)蒸鍍材料;
蒸鍍室,用于提供將氣態(tài)蒸鍍材料蒸鍍到需蒸鍍基底上的環(huán)境;以及
輸送管,連接所述蒸發(fā)源和所述蒸發(fā)頭,用于向所述蒸發(fā)頭輸送氣態(tài)蒸鍍材料。
7.如權(quán)利要求5所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,還包括:
蒸發(fā)頭固定機(jī)構(gòu),用于固定蒸發(fā)頭并可帶動所述蒸發(fā)頭移動;
掩模板固定機(jī)構(gòu),用于固定掩膜板并可帶動所述掩膜板移動;以及
基底固定機(jī)構(gòu),用于固定需蒸鍍基底并可帶動所述需蒸鍍基底移動。
8.如權(quán)利要求5所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,所述每個噴嘴的噴射方向上對應(yīng)設(shè)置有一個掩模板固定機(jī)構(gòu)和一個基底固定機(jī)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求7所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,所述掩模板、需蒸鍍基底、蒸發(fā)頭之間相互平行設(shè)置。
10.如權(quán)利要求7所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,所述掩模板與需蒸鍍基底均垂直于水平面或平行于水平面。
11.如權(quán)利要求7所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,所述噴嘴的噴射方向與對應(yīng)設(shè)置的掩模板之間的夾角在45~90度之間。
12.如權(quán)利要求7、9、10或11所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,所述掩模板和需蒸鍍基底均為長方形;
所述掩模板長邊的邊長與需蒸鍍基底長邊的邊長相同,且所述掩模板短邊的邊長是需蒸鍍基底短邊的邊長的1/n;或者,所述掩模板長邊的邊長是需蒸鍍基底長邊的邊長的1/n,且所述掩模板短邊的邊長與需蒸鍍基底短邊的邊長相同;
其中,n為大于1的整數(shù)。
13.如權(quán)利要求5至11中任一項(xiàng)所述的真空蒸鍍裝置,其特征在于,所述蒸發(fā)頭到需蒸鍍基底的距離與需蒸鍍基底的面積之比在4~6之間。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





