[實用新型]放電激勵式氣體激光裝置有效
| 申請號: | 201721638011.8 | 申請日: | 2017-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN207542556U | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發明(設計)人: | 伊藤貴志;藤卷洋介;田中誠;對馬弘朗 | 申請(專利權)人: | 極光先進雷射株式會社 |
| 主分類號: | H01S3/038 | 分類號: | H01S3/038;H01S3/03 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 陶海萍;田勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 凹部 氣體激光裝置 放電電極 腔室側面 激光腔 放電 對置 導電性 本實用新型 螺栓 保持部件 部件固定 電極側面 安裝孔 底面 折損 連通 貫通 配置 | ||
本實用新型提供一種放電激勵式氣體激光裝置,包括:激光腔室,其具有由導電性的保持部件所保持的放電電極;第一部件,其表面上形成有通往內部的第一孔;第二部件,其表面上形成有凹部和第二孔;第二孔從凹部的底面貫通第二部件并且與第一孔連通;以及螺栓,其配置于第一孔和第二孔處,將第二部件固定到第一部件上;第二部件具有與放電電極對置的電極側面以及與激光腔室對置的腔室側面,所述凹部的一部分形成在腔室側面上。由此,能夠減少甚至避免安裝孔處產生折損的情況。
技術領域
本實用新型涉及半導體領域,尤其涉及一種放電激勵式氣體激光裝置。
背景技術
伴隨著半導體集成電路的細微化、高集成化,在半導體曝光裝置中要求提高分辨率。以下將半導體曝光裝置簡稱為“曝光裝置”。因此,從曝光用光源輸出的光的波長在變短。在曝光用光源中代替現有的水銀燈而使用了氣體激光裝置。例如,使用輸出波長248nm的紫外線的KrF準分子激光裝置以及輸出波長193nm的紫外線的ArF準分子激光裝置,作為曝光用的氣體激光裝置。
現有技術中,例如放電激勵式氣體激光腔室內配置有一對放電電極,在所述一對放電電極之間能夠進行放電來激勵激光氣體;此外還可以配置有阻尼部件,對伴隨放電產生的聲波進行吸收。
專利文獻1:WO2015/125631A
應當注意,上面對背景技術的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明,并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
實用新型內容
發明人發現:在該阻尼部件上存在多個缺口,用于回避放電電極的布線之間的干擾;但是這些缺口與安裝孔的距離較近,在進行組裝、分解和清洗等處理時,安裝孔處容易產生折損的情況。
為了解決上述問題,本實用新型提供一種放電激勵式氣體激光裝置。第二部件具有與放電電極對置的電極側面以及與所述電極側面分離且與激光腔室對置的腔室側面,凹部的一部分形成在所述腔室側面上。
根據本實用新型實施例的第一方面,提供了一種放電激勵式氣體激光裝置,包括:
激光腔室,其具有由導電性的保持部件所保持的放電電極;
第一部件,其沿著所述放電電極的長度方向與所述放電電極并列地設置;其中在所述第一部件的表面上形成有通往內部的第一孔;
第二部件,其配置在所述第一部件上,在所述第二部件的表面上形成有凹部和第二孔;所述第二孔從所述凹部的底面貫通所述第二部件,并且與所述第一孔連通;以及
螺栓,其配置于所述第一孔和所述第二孔處,將所述第二部件固定到所述第一部件上;
其中,所述第二部件具有與所述放電電極對置的電極側面以及與所述電極側面分離且與所述激光腔室對置的腔室側面,所述凹部的一部分形成在所述腔室側面上。
根據本實用新型實施例的第二方面,其中,所述凹部的大小被設置為能夠容納所述螺栓的頭部。
根據本實用新型實施例的第三方面,其中,放電激勵式氣體激光裝置還包括:
配線,其一端通過所述保持部件與所述放電電極電連接,另一端與所述激光腔室的內壁電連接。
根據本實用新型實施例的第四方面,其中,在所述電極側面處形成有缺口部。
根據本實用新型實施例的第五方面,其中,所述配線通過所述缺口部并與所述保持部件連接。
根據本實用新型實施例的第六方面,其中,所述缺口部沿著所述放電電極的長度方向形成有多個。
根據本實用新型實施例的第七方面,其中,所述凹部沿著所述放電電極的長度方向形成有多個。
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