[實用新型]等離子體增強化學氣相沉積設備有效
| 申請號: | 201721629939.X | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN207713814U | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發明(設計)人: | 胡冬冬 | 申請(專利權)人: | 江蘇魯汶儀器有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京得信知識產權代理有限公司 11511 | 代理人: | 袁偉東;袁建水 |
| 地址: | 221300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空腔體 等離子體增強化學氣相沉積設備 加熱臺 本實用新型 透明密封件 勻氣裝置 紅外熱像儀 范圍比較 加熱元件 進氣裝置 密封連接 出氣 腔壁 通孔 測量 探測 相通 外部 | ||
本實用新型公開一種等離子體增強化學氣相沉積設備,包括:真空腔體(10),設置有多個加熱元件;加熱臺(20),設置在真空腔體的內部;勻氣裝置(30),設置在真空腔體的內部,并位于加熱臺的上方,且朝向加熱臺出氣;以及進氣裝置(40),設置在真空腔體的外部,并與勻氣裝置相通,所述等離子體增強化學氣相沉積設備還包括:通孔(11),設置所述真空腔體(10)的位置高于所述加熱臺(20)的腔壁上,并且通過透明密封件(50)而與真空腔體實現密封連接,以及紅外熱像儀(60),其設置在真空腔體的外側,并經由透明密封件對加熱臺的溫度進行探測。本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積設備的操作簡單,且測量范圍比較廣,測量結果更加準確。
技術領域
本實用新型涉及材料制備技術領域,尤其涉及一種等離子體增強化學氣相沉積設備。
背景技術
等離子體增強化學氣相沉積系統是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,并利用等離子體化學活性強而很容易發生反應的特性,從而在基片上沉積出所期望的薄膜。利用低溫等離子體作為能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電或另外設置發熱體使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體通過一系列的化學反應和等離子體反應,從而在樣品表面形成固態薄膜。
等離子體增強型化學氣相沉積系統對基片的溫度要求很嚴格,均勻的反應溫度是保證薄膜膜層均勻的必要條件。目前存在的諸多系統中,多采用加熱載片臺的方式對基片進行加熱,使基片達到所需要的設定溫度,但是在基片尺寸比較大的系統中,載片臺的加熱范圍較大,很容易造成基片局部加熱不充分或局部溫度過大,導致表面成膜厚度不均勻,影響工藝結果。
為了檢測加熱臺的表面溫度是否達到預先設定的溫度以及溫度分布是否均勻,在一些設備上是采用在加熱臺表面的不同區域粘貼幾個測溫熱電偶,通過熱電偶傳遞加熱臺局部溫度,該種操作方法操作比較復雜,且探測溫度區域比較狹小,只能探測到粘貼的某一點的溫度,容易造成測量結果的誤差,因此需要設計一種操作方便且測量準確、結果直觀的方法來監測加熱臺表面的溫度場。
也就是說,需要提出一種操作簡單、測量范圍廣且結果準確的等離子體增強化學氣相沉積設備。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種等離子體增強化學氣相沉積設備,包括:真空腔體,其內設置有多個加熱元件;加熱臺,其設置在所述真空腔體的內部;勻氣裝置,其設置在所述真空腔體的內部,并位于所述加熱臺的上方,且朝向所述加熱臺出氣;以及進氣裝置,其設置在所述真空腔體的外部,并與所述勻氣裝置相通,所述等離子體增強化學氣相沉積設備還包括:通孔,其設置所述真空腔體的位置高于所述加熱臺的腔壁上,并且通過透明密封件與所述真空腔體實現密封連接,以及紅外熱像儀,其設置在所述真空腔體的外側,并經由所述透明密封件對所述加熱臺的溫度進行探測。本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積設備操作簡單,無需單獨打開真空腔體粘貼測溫熱電偶,且測量范圍比較廣,測量出來的結果較準確。
在本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積設備中,優選為,所述紅外熱像儀包括紅外探測攝像頭、控制器和控制計算機,所述紅外探測攝像頭與所述通孔對準,經由所述透明密封件對所述真空腔體的內部進行紅外線攝像,從而對溫度進行探測。
在本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積設備中,優選為,所述通孔的中心軸線延伸穿過所述加熱臺。
在本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積設備中,優選為,所述通孔為臺階狀的階梯孔,包括粗徑部、細徑部以及位于所述粗徑部和所述細徑部之間的臺階面,所述細徑部從所述臺階面朝向所述真空腔體內延伸,所述粗徑部朝向所述真空腔體外延伸,所述透明密封件安裝在所述臺階面上
在本實用新型的等離子體增強化學氣相沉積設備中,優選為,所述臺階面上設有密封槽,所述密封槽內設有密封圈,所述透明密封件通過中空法蘭盤抵壓在所述密封圈上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





