[實用新型]等離子體增強化學氣相沉積設備有效
| 申請號: | 201721629939.X | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN207713814U | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發明(設計)人: | 胡冬冬 | 申請(專利權)人: | 江蘇魯汶儀器有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京得信知識產權代理有限公司 11511 | 代理人: | 袁偉東;袁建水 |
| 地址: | 221300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空腔體 等離子體增強化學氣相沉積設備 加熱臺 本實用新型 透明密封件 勻氣裝置 紅外熱像儀 范圍比較 加熱元件 進氣裝置 密封連接 出氣 腔壁 通孔 測量 探測 相通 外部 | ||
1.一種等離子體增強化學氣相沉積設備,包括:真空腔體(10),其內設置有多個加熱元件;加熱臺(20),其設置在所述真空腔體(10)的內部;勻氣裝置(30),其設置在所述真空腔體(10)的內部,并位于所述加熱臺(20)的上方,且朝向所述加熱臺(20)出氣;以及進氣裝置(40),其設置在所述真空腔體(10)的外部,并與所述勻氣裝置(30)相通,其特征在于,
所述等離子體增強化學氣相沉積設備還包括:
通孔(11),其設置所述真空腔體(10)的位置高于所述加熱臺(20)的腔壁上,并且通過透明密封件(50)與所述真空腔體(10)實現密封連接,以及
紅外熱像儀(60),其設置在所述真空腔體(10)的外側,并經由所述透明密封件(50)對所述加熱臺(20)的溫度進行探測。
2.根據權利要求1所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述紅外熱像儀(60)包括紅外探測攝像頭(61)、控制器(62)和控制計算機(63),所述紅外探測攝像頭(61)與所述通孔(11)對準,經由所述透明密封件(50)對所述真空腔體(10)的內部進行紅外線攝像,從而對溫度進行探測。
3.根據權利要求2所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述通孔(11)的中心軸線延伸穿過所述加熱臺(20)。
4.根據權利要求3所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述通孔(11)為臺階狀的階梯孔,包括粗徑部(111)、細徑部(112)以及位于所述粗徑部(111)和所述細徑部(112)之間的臺階面,所述細徑部(112)從所述臺階面朝向所述真空腔體(10)內延伸,所述粗徑部(111)朝向所述真空腔體(10)外延伸,所述透明密封件(50)安裝在所述臺階面上。
5.根據權利要求4所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述臺階面上設有密封槽(113),所述密封槽(113)內設有密封圈,所述透明密封件(50)通過中空法蘭盤(41)抵壓在所述密封圈上。
6.根據權利要求5所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述真空腔體(10)包括上端開口的圓柱形凹槽(12)和腔室上蓋(13),所述腔室上蓋(13)封蓋所述圓柱形凹槽(12),所述勻氣裝置(30)設置在所述腔室上蓋(13)上。
7.根據權利要求6所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述真空腔體(10)為長方體,所述長方體在靠近所述腔室上蓋(13)的頂角處形成斜面(14),所述通孔(11)設置在所述斜面(14)上。
8.根據權利要求7所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述通孔(11)的中心軸線垂直于所述斜面(14)。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的等離子體增強化學氣相沉積設備,其特征在于,
所述等離子體增強化學氣相沉積設備還包括升降調節機構(70),其設置在所述真空腔體(10)的底部,所述升降調節機構(70)包括升降桿(71),所述升降桿(71)的一端與所述加熱臺(20)連接,所述升降桿(71)的另一端伸出到所述真空腔體(10)外。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





