[實用新型]一種線性蒸鍍源坩堝噴嘴

有效

• 申請號: 201721628314.1
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN207537523U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 鄧云升;曾興中;蔡曉義;周揚川;柯賢軍;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 鄧聰權

本實用新型涉及蒸鍍領域，公開了一種線性蒸鍍源坩堝噴嘴，所述噴嘴設計為扁平“8”字型，保證了在蒸鍍時摻雜比例均勻性，從而提高了器件結構的性能。

技術領域

本實用新型涉及蒸鍍領域，特別涉及一種線性蒸鍍源坩堝噴嘴。

背景技術

在AMOLED的制作中，業界一般采用有機蒸鍍的方式，所以在蒸鍍成膜時，蒸鍍源的設計直接關系到產品的性能。傳統的蒸鍍源噴嘴一般為圓柱體，在蒸鍍時上方的膜呈現中間厚邊緣薄的拋物線分布。這樣在有多個不同材料的線性蒸鍍源共蒸時，由于線性蒸鍍源位置差異會造成分層和材料比例不均勻。對于發光層，主體材料和摻雜材料只有在一個小的摻雜范圍發光效率才最高，低于這個比例會摻雜不足，高于這個比例會產生淬滅，分層和材料比例不均勻都會極大的影響鍍膜的性能。

實用新型內容

本實用新型實施例的目的在于提供一種線性蒸鍍源坩堝噴嘴，保證了在蒸鍍時摻雜比例均勻性，從而提高了器件結構的性能。

本實用新型實施例提供的一種線性蒸鍍源坩堝噴嘴，所述噴嘴設計為扁平“8”字型。

可選地，摻雜材料的蒸鍍源坩堝噴嘴采用所述扁平“8”字型。

可選地，同種主體材料的蒸鍍源坩堝噴嘴采用圓形。

可選地，線性蒸發源由三個蒸鍍源組成，兩邊同種主體材料的蒸鍍源的坩堝噴嘴采用圓形，中間摻雜材料的蒸鍍源坩堝噴嘴采用所述扁平“8”字型。

由上可見，應用本實施例技術方案，由于噴嘴采用所述扁平“8”字型，有效解決了不同材料蒸鍍時比例不均勻的問題，保證了在蒸鍍時摻雜比例均勻性從而提高了器件結構的性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型提供的一種線性蒸鍍源坩堝噴嘴結構示意圖；

圖2為本實用新型提供的一種膜厚分布曲線圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

實施例：

本實施例提供一種線性蒸鍍源坩堝噴嘴，如圖1所示，所述噴嘴設計為扁平“8”字型。可以但不限于，線性蒸發源由三個蒸鍍源S1、S2和S3組成，兩邊蒸鍍源S1和S3的坩堝噴嘴采用圓形，中間蒸鍍源S2坩堝噴嘴采用所述扁平“8”字型。蒸鍍時，蒸鍍源S1和S3添加同種材料，蒸鍍源S2添加摻雜材料。傳統的線性蒸發源設計時，蒸鍍源S1、S2、S3的坩堝噴嘴都采用圓形，當同時使用蒸鍍源S1和S3蒸鍍時，在玻璃基板上的膜厚分布曲線與單獨使用蒸鍍源S2蒸鍍時在玻璃基板上的膜厚分布曲線趨勢不一致，導致中間部分摻雜材料比例高，兩面低，在掃描時會造成膜厚兩種材料的摻雜比例會發生周期性變化。而本方案中將所述蒸鍍源S2坩堝噴嘴采用所述扁平“8”字型，使蒸鍍源S1和S3蒸鍍時，在玻璃基板上的膜厚分布曲線與單獨使用蒸鍍源S2蒸鍍時在玻璃基板上的膜厚分布曲線趨勢更接近，如圖2所示，保證了中間和邊緣摻雜更均勻，不會出現在掃描時兩種材料的摻雜比例發生很大的變化。有效解決了兩種不同材料共蒸時產生的摻雜不均問題。

可見，通過對蒸鍍源坩堝噴嘴的設計，使得蒸鍍的膜厚分布均勻性明顯改善，提高了器件結構的性能。

以上所述的實施方式，并不構成對該技術方案保護范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內所作的修改、等同替換和改進等，均應包含在該技術方案的保護范圍之內。