[實(shí)用新型]一種用于晶圓減薄后卸片的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721617022.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207489823U | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 苗宏周 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安立芯光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 胡樂 |
| 地址: | 710077 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓 卸片 玻璃基板 非接觸 熱剝離膜 加熱源 砷化鎵 劃痕 減薄 冷板 粘片 紅外光 半導(dǎo)體芯片 本實(shí)用新型 遠(yuǎn)紅外加熱 加熱均勻 晶圓碎片 使用壽命 綜合效率 全透射 粘合 朝上 加熱 良率 裂片 吸收 | ||
本實(shí)用新型提出一種用于晶圓減薄后卸片的裝置,不僅杜絕了晶圓N面劃痕、卸片粘片現(xiàn)象,降低了晶圓碎片、裂片風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)也縮短了卸片時(shí)間,提高了卸片綜合效率。晶圓的P面通過熱剝離膜粘合在玻璃基板,晶圓的N面朝上,該裝置包括冷板和非接觸加熱源,玻璃基板置于冷板上,所述非接觸加熱源位于晶圓以及玻璃基板的上方、面向晶圓N面。通過非接觸遠(yuǎn)紅外加熱方式加熱晶圓N面,砷化鎵晶圓本身不吸收紅外光,為全透射。熱剝離膜升溫速度快,加熱均勻,反應(yīng)充分,完全杜絕晶圓N面劃痕及粘片現(xiàn)象,能夠顯著提高晶圓良率、晶圓卸片效率和砷化鎵半導(dǎo)體芯片使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種用于砷化鎵晶圓減薄后卸片的裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體工藝過程中經(jīng)常涉及晶圓的減薄,尤其是在砷化鎵半導(dǎo)體激光芯片的制備過程中,為了達(dá)到良好的散熱效果以及適應(yīng)激光芯片輕小化發(fā)展趨勢(shì),需要將厚度為400多微米的晶圓減薄至100微米左右。具體主要是通過熱剝離膜將晶圓P面粘合在有一定厚度的玻璃基板上,然后用磨拋設(shè)備配合研磨液對(duì)晶圓N面進(jìn)行減薄。晶圓減薄至目標(biāo)厚度后,需要通過加熱熱剝離膜的方式將晶圓從玻璃基板上順利卸下來。
現(xiàn)有技術(shù)一般采用直接接觸電加熱板卸片方式,粘在玻璃基板上的晶圓N面朝下直接水平放置在加熱板上,加熱熱量先傳遞至晶圓N面、P面,然后再傳遞至熱剝離膜。熱剝離膜受熱反應(yīng)后,晶圓與玻璃基板分離。晶圓N面直接接觸加熱板表面會(huì)造成N面劃痕、蹭傷,影響激光器芯片壽命。而且由于玻璃基板壓在晶圓上部,受玻璃基板重力影響,熱剝離膜受熱發(fā)生反應(yīng)后晶圓不能自動(dòng)向上彈起、分離,導(dǎo)致剝離不徹底,卸片過程存在粘片。晶圓厚度的減薄導(dǎo)致其機(jī)械強(qiáng)度降低,粘片會(huì)導(dǎo)致卸片過程中出現(xiàn)晶圓裂片、碎片等風(fēng)險(xiǎn),產(chǎn)品良率降低。原卸片技術(shù)見附圖1。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了避免現(xiàn)有技術(shù)卸片過程中出現(xiàn)晶圓N面劃痕,影響后期砷化鎵激光器芯片的使用壽命;剝離不徹底,導(dǎo)致裂片、碎片等風(fēng)險(xiǎn),本實(shí)用新型提出一種新的用于砷化鎵晶圓減薄后卸片的裝置,不僅杜絕了晶圓N面劃痕、卸片粘片現(xiàn)象,降低了晶圓碎片、裂片風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)也縮短了卸片時(shí)間,提高了卸片綜合效率。
本實(shí)用新型的方案如下:
晶圓的P面通過熱剝離膜粘合在玻璃基板,晶圓的N面朝上,該裝置包括冷板和非接觸加熱源,玻璃基板置于冷板上,所述非接觸加熱源位于晶圓以及玻璃基板的上方、面向晶圓N面。
這里的“冷板”,是強(qiáng)調(diào)自身并不發(fā)熱,用來放置晶圓的基板(托盤)。
上述非接觸加熱源優(yōu)選遠(yuǎn)紅外加熱燈。
上述遠(yuǎn)紅外加熱燈的功率一般為650W,與晶圓之間的距離為5-10cm。
上述冷板較適宜的形狀為表面設(shè)置有圓形凹槽的托盤(為了便于固定安裝,托盤整體可為方形),所述玻璃基板適配放置于圓形凹槽內(nèi)。冷板的材料為陽極氧化鋁。
非接觸加熱源(遠(yuǎn)紅外加熱燈)與冷板可安裝于同一固定框架上。
本實(shí)用新型具有以下技術(shù)效果:
通過非接觸遠(yuǎn)紅外加熱方式加熱晶圓N面,砷化鎵晶圓本身不吸收紅外光,為全透射。熱剝離膜升溫速度快,加熱均勻,反應(yīng)充分,完全杜絕晶圓N面劃痕及粘片現(xiàn)象,能夠顯著提高晶圓良率、晶圓卸片效率和砷化鎵半導(dǎo)體芯片使用壽命。
附圖說明
圖1為原來卸片結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為圖2中各部件分立結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為冷板的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明:
1-晶圓;101-晶圓P面,102-晶圓N面,2-玻璃基板;3-冷板;4-遠(yuǎn)紅外加熱燈,5-熱剝離膜;6-電加熱板。
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