[實用新型]一種用于晶圓減薄后卸片的裝置有效
| 申請號： | 201721617022.8 | 申請日： | 2017-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN207489823U | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發明（設計）人： | 苗宏周 | 申請（專利權）人： | 西安立芯光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡樂 |
| 地址： | 710077 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 卸片 玻璃基板 非接觸 熱剝離膜 加熱源 砷化鎵 劃痕 減薄 冷板 粘片 紅外光 半導體芯片 本實用新型 遠紅外加熱 加熱均勻 晶圓碎片 使用壽命 綜合效率 全透射 粘合 朝上 加熱 良率 裂片 吸收 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于晶圓減薄后卸片的裝置，所述晶圓的P面通過熱剝離膜粘合在玻璃基板，晶圓的N面朝上，其特征在于：該裝置包括冷板和非接觸加熱源，玻璃基板置于冷板上，所述非接觸加熱源位于晶圓以及玻璃基板的上方、面向晶圓N面。
2.根據權利要求1所述的用于晶圓減薄后卸片的裝置，其特征在于：所述非接觸加熱源采用遠紅外加熱燈。
3.根據權利要求2所述的用于晶圓減薄后卸片的裝置，其特征在于：所述遠紅外加熱燈的功率為650W，與晶圓之間的距離為5-10cm。
4.根據權利要求1所述的用于晶圓減薄后卸片的裝置，其特征在于：所述冷板為表面設置有圓形凹槽的托盤，所述玻璃基板適配放置于圓形凹槽內。
5.根據權利要求1所述的用于晶圓減薄后卸片的裝置，其特征在于：所述冷板的材料為陽極氧化鋁。
6.根據權利要求1所述的用于晶圓減薄后卸片的裝置，其特征在于：所述非接觸加熱源與冷板安裝于同一固定框架上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
